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[導讀]根據(jù)彭博(Bloomberg)報導,美國存儲器業(yè)者Rambus于美國時間20日向加州一家法院提起反柯斷訴訟,該公司指控韓國存儲器業(yè)者海力士(Hynix)與美國存儲器廠商美光(Micron)2廠非法共謀,意欲將Rambus排擠出存儲器芯片市場。

根據(jù)彭博(Bloomberg)報導,美國存儲器業(yè)者Rambus于美國時間20日向加州一家法院提起反柯斷訴訟,該公司指控韓國存儲器業(yè)者海力士(Hynix)與美國存儲器廠商美光(Micron)2廠非法共謀,意欲將Rambus排擠出存儲器芯片市場。

Rambus指控海力士與美光共謀侵害Rambus所設計的DRAM,亦即RDRAM的專利權(quán),因此向2公司索取損害賠償129億美元。該公司表示,根據(jù)加州法律,Rambus原先所提出的43億美元求償金額,將自動增加2倍,達到129億美元,但2家被告公司否認了上述的指控。

Rambus律師代表BartWilliams向庭上表示,海力士與美光涉嫌參與非法共謀,藉著扼殺掉Rambus所創(chuàng)新的一種革命性技術(shù),牟取數(shù)10億美元的利益,以保持其市場優(yōu)勢地位。

Rambus律師代表指出,海力士與美光的此番共謀顯然已經(jīng)奏效,導致RDRAM非但未能大獲全勝、成為下一代產(chǎn)業(yè)標準,反而只能局限于較小的市場規(guī)模。按照規(guī)畫,海力士與美光的律師代表將于次日向庭上提出抗辯。

Rambus指控海力士和美光一起哄抬RDRAM芯片的售價,并壓低自家的SDRAM和DDR芯片的價格,藉此削弱Rambus產(chǎn)品的價格競爭力。

不過,美光法律總顧問RodLewis則表示,Rambus仍然企圖將自己在市場上的失敗歸咎于第三方,他指出,RDRAM芯片之所以未能成功,是因為存在技術(shù)缺陷、效率較低、生產(chǎn)和執(zhí)行的成本較高。RDRAM芯片最終被證明只能適合于小眾市場,而不適合PC、筆記本電腦(NB)和平板計算機等大眾市場。至于海力士發(fā)言人,則尚未就此置評。

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