[導讀]不久前在日本京都舉行的VLSI技術研討會上提交的研究結果顯示，采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比，性能的提高達到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內的幾家主要
不久前在日本京都舉行的VLSI技術研討會上提交的研究結果顯示，采用超薄襯底的SOI晶圓和22納米工藝制造的器件和采用體硅晶圓、22納米工藝制造的器件相比，性能的提高達到了25%。包括MEMC、SEH、Soitec等在內的幾家主要SOI晶圓供應商表示，他們已經為超薄襯底的SOI晶圓的規(guī)?；a做好了準備。這些絕緣層上硅的厚度只有不到10納米，而且均勻性控制在艾米量級SOI晶圓對生產合格的全耗盡型晶體管是至關重要的。
SOI晶圓供應聯(lián)盟的一位官員稱，SOI晶圓最終的生產成本和體硅晶圓相比還要低6%，這和英特爾資深研究人員Mark Bohr的評論相左。Mark Bohr在5月份英特爾推出22納米3-D 三柵極晶體管技術時表示，超薄襯底的SOI晶圓非常昂貴而且很難找到貨源。Mark Bohr稱，如果英特爾采用超薄襯底的SOI晶圓來實現3-D 三柵極晶體管，其晶圓的成本將增加10%。
目前IBM、 STMicro、 GlobalFoundries、 Renesas和 Toshiba等芯片制造商是采用SOI晶圓制造下一代集成電路的主要推手。
研制高效的、成本合理的太陽能電池是全球共同面臨的巨大挑戰(zhàn)。薩金特說：“全球都需要轉化效率超過10%的太陽能電池，并希望能顯著降低現有光伏組件的零售價。最新進展提供了一條切實可行的道路，其能最大限度地捕捉太陽發(fā)出的各種光線，有望提高轉化率并降低成本。”
薩金特希望，在5年內，將這款新的分級重組層太陽能電池整合入建筑材料、手機和汽車零件中。
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