飛兆半導(dǎo)體的首席技術(shù)長(zhǎng)Dan Kinzer獲得ISPSD貢獻(xiàn)獎(jiǎng)

摘要：  在2013年第25屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際學(xué)術(shù)研討會(huì)(International Symposium on Power Semiconductor Devices and Integrated Circuits， ISPSD)上，飛兆半導(dǎo)體的首席技術(shù)長(zhǎng)Dan Kinzer被授予“ISPSD貢獻(xiàn)獎(jiǎng)”。

該獎(jiǎng)表彰在擴(kuò)大技術(shù)領(lǐng)域的杰出貢獻(xiàn)

ISPSD貢獻(xiàn)獎(jiǎng)于2001年在ISPSD大會(huì)上設(shè)立，頒發(fā)給對(duì)擴(kuò)大技術(shù)領(lǐng)域做出杰出貢獻(xiàn)的成員。在慶祝ISPSD 25周年之際，Dan Kinzer成為獲此殊榮的八位入選者之一，以獎(jiǎng)勵(lì)他20多年來(lái)對(duì)ISPSD建立并發(fā)展為功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域世界領(lǐng)先國(guó)際學(xué)術(shù)研討會(huì)做出的努力和貢獻(xiàn)。

Dan Kinzer于2007年加盟飛兆半導(dǎo)體，擔(dān)任產(chǎn)品和技術(shù)開(kāi)發(fā)部的高級(jí)副總裁，并于2010年12月被任命為首席技術(shù)長(zhǎng)兼技術(shù)高級(jí)副總裁。他的職責(zé)包括領(lǐng)導(dǎo)半導(dǎo)體器件、工藝和包裝技術(shù)開(kāi)發(fā)。此外，他還負(fù)責(zé)技術(shù)戰(zhàn)略、技術(shù)人員招聘和發(fā)展以及與技術(shù)相關(guān)的業(yè)務(wù)和制造戰(zhàn)略。他還領(lǐng)導(dǎo)碳化硅技術(shù)開(kāi)發(fā)。

Kinzer先生是100多個(gè)美國(guó)專利和多個(gè)國(guó)際專利的發(fā)明者、數(shù)篇科學(xué)和貿(mào)易文章的作者、ISPSD的大會(huì)主席以及IEEE和EDS的成員。他于1978年在普林斯敦大學(xué)航空航天和機(jī)械系獲得BSE學(xué)位，主修工程物理學(xué)。

ISPSD是電源設(shè)備各研究和開(kāi)發(fā)領(lǐng)域的研究人員、工程師、科學(xué)家和專家的國(guó)際會(huì)場(chǎng)，電源設(shè)備和功率IC領(lǐng)域?qū)＜覅R聚一堂，以增強(qiáng)并推動(dòng)功率電子及其應(yīng)用的研究和開(kāi)發(fā)。ISPSD展示豐富的技術(shù)成果，已成為電源設(shè)備和功率IC領(lǐng)域的世界領(lǐng)先大會(huì)，我們期待今年大會(huì)同樣大獲成功。

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