半導(dǎo)體進(jìn)入20nm時(shí)代 難倒半導(dǎo)體封裝

當(dāng)前，電器和移動(dòng)AV設(shè)備市場(chǎng)上，智能手機(jī)和平板PC成長(zhǎng)迅猛。智能手機(jī)的全球銷量從2012年的6.5億部增加到2013年的7.9億部。預(yù)計(jì)2015年將達(dá)到10億部。類似地，PC的全球銷量從2011年的1.2億臺(tái)增加到2013年的1.6億臺(tái)。預(yù)計(jì)2017年將達(dá)到4.2億臺(tái)。這些移動(dòng)設(shè)備要求一年比一年更高的性能、更多的功能和更低的價(jià)格。所以，用在CPU、GPU、DSP、AP和RF中的半導(dǎo)體產(chǎn)品規(guī)模更大，速度更高、更加密集。為此晶圓工藝技術(shù)正通過(guò)加大晶圓尺寸(即從150mm擴(kuò)大到300mm或400mm)減少成本，并通過(guò)更細(xì)的工藝圖形(即從90nm到65nm、45nm、40nm、32nm和28nm)改善至更高的集成度、功能性和速度。故與此同時(shí)要求更高的電路密度、更高的性能和更低的價(jià)格。

對(duì)于集成度較大和速度較高的LSI的成熟技術(shù)，有必要開(kāi)發(fā)采用低k材料的隔離技術(shù)。但為了滿足這些高性能，由于用多孔和多層結(jié)構(gòu)，隔離變得越來(lái)越薄。結(jié)果，LSI就變得易脆。另一方面，為了滿足高速要求，LSI的電流不斷增加。除了芯片尺寸不斷縮小外，熱密度和功耗也不斷增加。所以，對(duì)于未來(lái)的半導(dǎo)體封裝，要求解決這些問(wèn)題，即層間介質(zhì)的易脆性、高熱、高速和低價(jià)格。半導(dǎo)體工藝未來(lái)的設(shè)計(jì)規(guī)則將進(jìn)入20nm一代或其下，這將更加脆弱得多。

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