ST PNP電晶體兼具M(jìn)OSFET能效與板空間使用效率
[導(dǎo)讀]意法半導(dǎo)體(ST)最新的雙載子功率電晶體 3STL2540 ， 提供雙載子電晶體的成本優(yōu)勢(shì)與矽晶面積使用效率，同時(shí)兼具同等級(jí) MOSFET 的能效，為設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)節(jié)省空間的低成本電源管理和 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器(DC-DC convert
意法半導(dǎo)體(ST)最新的雙載子功率電晶體 3STL2540 ， 提供雙載子電晶體的成本優(yōu)勢(shì)與矽晶面積使用效率，同時(shí)兼具同等級(jí) MOSFET 的能效，為設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)節(jié)省空間的低成本電源管理和 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換器(DC-DC converters)解決方案。
3STL2540 是一個(gè)-40V/-5A PNP 電晶體，在完全飽和狀態(tài)時(shí)，最大電壓降(voltage drop)為200mV，基極電流(base current)僅為10mA。等效導(dǎo)通電阻僅為90mΩ，接近同等級(jí)超級(jí)邏輯層MOSFET (super logic-level MOSFET)的性能。
3STL2540 的核心技術(shù)是意法半導(dǎo)體的先進(jìn)的雙金屬層平面基島技術(shù)(base island technology)，在0.2到10V的寬輸出電壓下，溫度在攝氏-30℃到150℃范圍內(nèi)，連續(xù)高電流增益(consistently high current gain，hFE)至少保持在100，創(chuàng)下業(yè)界同類元件最低的導(dǎo)通損耗記錄。高熱效率封裝 PowerFLAT 僅0.6mm高，封裝面積為2mm x 2mm，在最小的印刷電路板內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能功率電路。
3STL2540 現(xiàn)已量產(chǎn)。
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