4G牌照的發(fā)放為業(yè)界帶來一片光明。發(fā)牌既標志著4G新時代的開篇，也是我國在3G時代技術積淀收獲的“碩果”。幾度浮沉的芯片廠商，或將在新的時間節(jié)點下完成新的“使命必達”。
新階段
隨著TD-LTE產業(yè)成熟和商用推廣，未來TD-LTE芯片和終端需進一步提升性能，TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進。
全產業(yè)鏈的相對成熟是4G發(fā)牌時必需的考量，雖然在芯片環(huán)節(jié)還受限于多模多頻的挑戰(zhàn)，但一個顯見的事實是制程工藝成熟度的提升是突破這一瓶頸的關鍵。從芯片角度來看，4G終端芯片將聚集在28nm制程，中芯國際的28nm技術已經成熟，能夠與4G發(fā)展的要求相匹配。希望中國4G終端芯片能夠較長時間穩(wěn)定在28nm工藝上發(fā)展，因其產業(yè)化平臺越長，對提高終端供給能力越有好處。
在3G時代早期，多模TD芯片廠商基本采用65nm甚至90nm制程，導致成本功耗居高不下，一直阻礙著TD-SCDMA的發(fā)展。但隨著TD—LTE時代的到來，隨著多模多頻基帶以及平臺芯片復雜度的提高，以及成本、功耗要求的不斷提高，如果說TD-LTD芯片的發(fā)展要汲取教訓的話，那顯然28nm制程將成為未來芯片廠商采取的主要技術。
聯(lián)芯科技副總裁劉積堂也強調，對于TD-LTE芯片市場來說，在產業(yè)發(fā)展初期，基于40nm工藝芯片的數(shù)據(jù)類終端可以滿足TD-LTE應用需求。隨著TD-LTE產業(yè)成熟和商用推廣，未來TD-LTE芯片和終端需進一步提升性能，TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進，以提供更佳的用戶體驗。聯(lián)芯正在研發(fā)的四核五模十頻TD-LTE芯片預計年底推出，將采用28nm工藝。
新機遇
LTEFDD牌照暫未發(fā)放，以及中移動TD-LTE終端策略的改變，為國內芯片帶來一個“拾遺補缺”的“空間”。
在4G牌照中，中國移動、中國聯(lián)通、中國電信首批均獲得TD-LTE網絡經營許可，LTEFDD牌照暫未發(fā)放，這為國內芯片帶來一個“拾遺補缺”的“空間”。TD產業(yè)聯(lián)盟秘書長楊驊就曾指出，國內企業(yè)由于緊靠中國移動的TD-SCDMA市場支撐，在LTEFDD領域積累相對不足，因而可先發(fā)展TD-LTE來滿足客戶的需求，當發(fā)展到一定程度需要LTEFDD頻譜使用的時候，再引入LTEFDD制式，這樣就會給國內企業(yè)一段時間去補LTEFDD的課，以具備為LTEFDD和TD-LTE同時提供服務的能力。
此外，中移動TD-LTE終端策略的改變也帶來利好。據(jù)了解，中移動TD-LTE終端策略發(fā)生了重大調整，不再堅持“五模十頻”的硬指標，明年年初將會引入“三模”產品。楊驊指出，這大大降低了技術門檻，還可將4G芯片和專利費節(jié)省下來，國內芯片廠商也將迎來更大的發(fā)展空間。同時，這有助于中移動推“三模”的千元智能機，加快4G普及速度。Marvell全球副總裁李春潮說，Marvell千元采用其TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模芯片方案將于第一季度推出，預計明年上半年，中國就會出現(xiàn)大量千元4G手機。
對于另兩大運營商的需求，李春潮指出，中國電信對4G終端有不同需求，數(shù)據(jù)卡之類的產品并不需要CDMA。如果是智能終端，對4G手機的要求是同時兼容FDD-LTE、CDMA2000、GSM，Marvell的解決方案是“雙芯片”方案，比如用其PXA1088LTE再外接CDMA的調制解調器，Marvell也會與中國電信探討合作。“中國聯(lián)通目前其4G終端方案與國際主流FDD運營商需求差別不大，Marvell目前的五模平臺可以滿足其需求。”李春潮進一步指出，“目前，Marvell的重點是加強與中國移動合作，按需、按時地把我們的方案推廣到市場上。”
需要注意的事，雖然國內廠商暫時可以“放風”，但著眼于長遠還是要提早布局LTE融合及演進之道。“TD-LTE和LTEFDD很大程度是融合的，兩種技術在L2層以上的規(guī)范都是一樣的，只是在底層幀結構有所不同。從長遠來看，無論是4G或是將來的5G，都會在TD-LTE和LTEFDD兩種平臺平衡發(fā)展。從芯片的角度講，開發(fā)工作要與新技術和新標準同步進行。”Marvell移動產品總監(jiān)張路表示，“LTE在加速演進，LTE-A明年就會在北美和歐洲開始商用，中國芯片廠商還應做相應的技術儲備和產品研發(fā)。”
新挑戰(zhàn)
具有強大數(shù)據(jù)和多媒體能力的高集成度智能手機芯片將是市場發(fā)展的主要方向，此外，在功耗、面積、成本方面需要不斷提升。
TD-LTE芯片主要分成調制解調器和智能平臺這兩類形態(tài)。張路提到，調制解調器芯片主要應用于高端智能手機，無線上網卡、Mi-Fi、Dongle和物聯(lián)網等;單芯片解決方案則應用于手機和平板電腦等智能終端。雖然產品還會以這些形態(tài)出現(xiàn)，但技術還會不斷發(fā)展。
【導讀】全產業(yè)鏈的相對成熟是4G發(fā)牌時必需的考量，雖然在芯片環(huán)節(jié)還受限于多模多頻的挑戰(zhàn)，但一個顯見的事實是制程工藝成熟度的提升是突破這一瓶頸的關鍵。從芯片角度來看，4G終端芯片將聚集在28nm制程，中芯國際的28nm技術已經成熟，能夠與4G發(fā)展的要求相匹配。
4G牌照的發(fā)放為業(yè)界帶來一片光明。發(fā)牌既標志著4G新時代的開篇，也是我國在3G時代技術積淀收獲的“碩果”。幾度浮沉的芯片廠商，或將在新的時間節(jié)點下完成新的“使命必達”。
新階段
隨著TD-LTE產業(yè)成熟和商用推廣，未來TD-LTE芯片和終端需進一步提升性能，TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進。
全產業(yè)鏈的相對成熟是4G發(fā)牌時必需的考量，雖然在芯片環(huán)節(jié)還受限于多模多頻的挑戰(zhàn)，但一個顯見的事實是制程工藝成熟度的提升是突破這一瓶頸的關鍵。從芯片角度來看，4G終端芯片將聚集在28nm制程，中芯國際的28nm技術已經成熟，能夠與4G發(fā)展的要求相匹配。希望中國4G終端芯片能夠較長時間穩(wěn)定在28nm工藝上發(fā)展，因其產業(yè)化平臺越長，對提高終端供給能力越有好處。[!--empirenews.page--]
在3G時代早期，多模TD芯片廠商基本采用65nm甚至90nm制程，導致成本功耗居高不下，一直阻礙著TD-SCDMA的發(fā)展。但隨著TD—LTE時代的到來，隨著多模多頻基帶以及平臺芯片復雜度的提高，以及成本、功耗要求的不斷提高，如果說TD-LTD芯片的發(fā)展要汲取教訓的話，那顯然28nm制程將成為未來芯片廠商采取的主要技術。
聯(lián)芯科技副總裁劉積堂也強調，對于TD-LTE芯片市場來說，在產業(yè)發(fā)展初期，基于40nm工藝芯片的數(shù)據(jù)類終端可以滿足TD-LTE應用需求。隨著TD-LTE產業(yè)成熟和商用推廣，未來TD-LTE芯片和終端需進一步提升性能，TD-LTE芯片將逐漸向28nm演進，以提供更佳的用戶體驗。聯(lián)芯正在研發(fā)的四核五模十頻TD-LTE芯片預計年底推出，將采用28nm工藝。
新機遇
LTEFDD牌照暫未發(fā)放，以及中移動TD-LTE終端策略的改變，為國內芯片帶來一個“拾遺補缺”的“空間”。
在4G牌照中，中國移動、中國聯(lián)通、中國電信首批均獲得TD-LTE網絡經營許可，LTEFDD牌照暫未發(fā)放，這為國內芯片帶來一個“拾遺補缺”的“空間”。TD產業(yè)聯(lián)盟秘書長楊驊就曾指出，國內企業(yè)由于緊靠中國移動的TD-SCDMA市場支撐，在LTEFDD領域積累相對不足，因而可先發(fā)展TD-LTE來滿足客戶的需求，當發(fā)展到一定程度需要LTEFDD頻譜使用的時候，再引入LTEFDD制式，這樣就會給國內企業(yè)一段時間去補LTEFDD的課，以具備為LTEFDD和TD-LTE同時提供服務的能力。
此外，中移動TD-LTE終端策略的改變也帶來利好。據(jù)了解，中移動TD-LTE終端策略發(fā)生了重大調整，不再堅持“五模十頻”的硬指標，明年年初將會引入“三模”產品。楊驊指出，這大大降低了技術門檻，還可將4G芯片和專利費節(jié)省下來，國內芯片廠商也將迎來更大的發(fā)展空間。同時，這有助于中移動推“三模”的千元智能機，加快4G普及速度。Marvell全球副總裁李春潮說，Marvell千元采用其TD-LTE/TD-SCDMA/GSM三模芯片方案將于第一季度推出，預計明年上半年，中國就會出現(xiàn)大量千元4G手機。
對于另兩大運營商的需求，李春潮指出，中國電信對4G終端有不同需求，數(shù)據(jù)卡之類的產品并不需要CDMA。如果是智能終端，對4G手機的要求是同時兼容FDD-LTE、CDMA2000、GSM，Marvell的解決方案是“雙芯片”方案，比如用其PXA1088LTE再外接CDMA的調制解調器，Marvell也會與中國電信探討合作。“中國聯(lián)通目前其4G終端方案與國際主流FDD運營商需求差別不大，Marvell目前的五模平臺可以滿足其需求。”李春潮進一步指出，“目前，Marvell的重點是加強與中國移動合作，按需、按時地把我們的方案推廣到市場上。”
需要注意的事，雖然國內廠商暫時可以“放風”，但著眼于長遠還是要提早布局LTE融合及演進之道。“TD-LTE和LTEFDD很大程度是融合的，兩種技術在L2層以上的規(guī)范都是一樣的，只是在底層幀結構有所不同。從長遠來看，無論是4G或是將來的5G，都會在TD-LTE和LTEFDD兩種平臺平衡發(fā)展。從芯片的角度講，開發(fā)工作要與新技術和新標準同步進行。”Marvell移動產品總監(jiān)張路表示，“LTE在加速演進，LTE-A明年就會在北美和歐洲開始商用，中國芯片廠商還應做相應的技術儲備和產品研發(fā)。”
新挑戰(zhàn)
具有強大數(shù)據(jù)和多媒體能力的高集成度智能手機芯片將是市場發(fā)展的主要方向，此外，在功耗、面積、成本方面需要不斷提升。
TD-LTE芯片主要分成調制解調器和智能平臺這兩類形態(tài)。張路提到，調制解調器芯片主要應用于高端智能手機，無線上網卡、Mi-Fi、Dongle和物聯(lián)網等;單芯片解決方案則應用于手機和平板電腦等智能終端。雖然產品還會以這些形態(tài)出現(xiàn)，但技術還會不斷發(fā)展。
【導讀】全產業(yè)鏈的相對成熟是4G發(fā)牌時必需的考量，雖然在芯片環(huán)節(jié)還受限于多模多頻的挑戰(zhàn)，但一個顯見的事實是制程工藝成熟度的提升是突破這一瓶頸的關鍵。從芯片角度來看，4G終端芯片將聚集在28nm制程，中芯國際的28nm技術已經成熟，能夠與4G發(fā)展的要求相匹配。
除了要求基帶和射頻支持多模多頻之外，從發(fā)展來看，TD-LTE智能終端還需應用處理器具備強大的數(shù)據(jù)與多媒體處理能力。聯(lián)發(fā)科技中國區(qū)總經理章維力說，在4G時代，數(shù)據(jù)流量的爆發(fā)和智能手機多媒體化的發(fā)展成為主流特征，具有強大數(shù)據(jù)和多媒體能力的智能手機芯片將是市場發(fā)展的主要方向。
此外功耗的降低和芯片面積的減少也是“必由之路”。有專家指出，一方面，相比2G、3G技術，LTE高速的數(shù)據(jù)傳輸處理和特有的天線技術，都需要消耗更多的功耗，但用戶對終端設備電池續(xù)航能力的要求卻在不斷提高;另一方面，技術的復雜度也在一定程度上增加了LTE芯片的面積，隨著終端支持的頻段增多，通常射頻芯片需提供的接收通道也會增加，頻段增加影響射頻前端器件的數(shù)量，因此，多頻段引入將增加終端射頻前端器件成本。但終端設備的輕薄化和外觀設計的時尚化，都需要盡可能壓縮主板面積，功耗和面積已成為重要的挑戰(zhàn)。
而終端價格不斷下探的壓力也將轉移到芯片產業(yè)。SoC系統(tǒng)集成是關鍵，需要把周邊的芯片技術不斷整合消化，這顯著提高了門檻。李春潮表示，在4G時代芯片廠商也要注重提供交鑰匙方案，這是未來發(fā)展一大趨勢。
此外，4G的市場趨勢是面向全球市場的。“語音技術方案也是TD-LTE手機發(fā)展的重要環(huán)節(jié)。從LTEFDD的商用經驗來看，具備語音和寬帶數(shù)據(jù)能力的智能手機是用戶最為滿意的終端形態(tài)。”劉積堂提到，“因此，終端廠商選擇平臺，也將從原來的單一市場轉而面向全球運營商，作為芯片廠商就需要緊跟通信技術標準演進。”
新格局
未來的競爭格局將發(fā)生較大變化，中國芯片廠商將快速崛起，尤其在4G中低端市場更將領先于歐美芯片廠商。
在4G發(fā)令槍響之后，新一輪的市場排位賽也拉開帷幕。從對決來看，李春潮說，目前在LTE芯片的國內外廠商中，國外廠商在LTEFDD與WCDMA技術方面比較有優(yōu)勢，但在TD-SCDMA方面積累不夠。中國國內的一些公司強項是在TD-SCDMA技術領域，而在LTEFDD和WCDMA技術方面還要做很多工作。[!--empirenews.page--]
劉積堂說，TD-SCDMA芯片市場是國際巨頭們不太看中的細分市場，相對國內廠商來說缺少積累，TD-SCDMA是國內芯片公司難得的一個具有競爭力的市場。而在TD-SCDMA向TD-LTE演進中，國際巨頭開始全面覺醒，紛紛進入TD-LTE芯片領域，并且取得了后來居上的業(yè)績，國內芯片公司在4G時代面臨的全模競爭壓力是十分巨大的。
明年主導廠商在TD-LTE芯片市場的競爭將更趨激烈。從市場來看，高通的優(yōu)勢明顯，但最近因中國的反壟斷調查以及中移動終端芯片策略改變氣勢有所“收斂”。Marvell的LTE單芯片平臺在相關測試和招標環(huán)節(jié)也表現(xiàn)搶眼，最近有多款基于Marvell的4G平臺的MiFi終端和智能手機通過了中國移動的OT測試，成為首批上市的4G終端。英特爾方面稱，基于22nm的手機芯片組也將面世，將可體現(xiàn)出制程方面的優(yōu)勢。博通也是動作頻頻，已推出了五模LTE芯片，體積相比業(yè)界其他解決方案小35%。
國外廠商在加緊布局，國內廠商也不忘排兵布陣，海思、展訊、聯(lián)芯科技、聯(lián)發(fā)科等廠商均在全力沖刺。聯(lián)發(fā)科技今年底即將推出的LTEModem會同時支持LTEFDD與TDD-LTE，明年上半年，基于四核或八核AP+4GModem解決方案將進入量產，最終4GSoC將于明年下半年量產。聯(lián)芯科技也將在年底推五模SoC智能手機芯片。
“在4G時代，國內公司需要突破多模通信技術積累、巨額研發(fā)資金投入、領先芯片設計工藝掌握、智能芯片公司品牌的培育、操作系統(tǒng)技術把握、多媒體應用技術創(chuàng)新等多重關口。”劉積堂進一步指出，“因為具備成本和快速市場響應的優(yōu)勢，未來的競爭格局將發(fā)生較大變化，中國芯片廠商將快速崛起，尤其在4G中低端市場更將領先于歐美芯片廠商。”
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