美國氮化鎵技術(shù)獲突破可顯著減少雷達(dá)等成本

時(shí)間：2014-04-05 06:30:00

關(guān)鍵字：雷達(dá) 氮化鎵雷神器件

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[導(dǎo)讀]據(jù)中國國防科技信息網(wǎng)報(bào)道，美國雷神公司在下一代氮化鎵(GaN)射頻半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域又取得一重大里程碑，研制出金剛石基GaN器件。金剛石做襯底材料，可將器件的熱傳導(dǎo)能力提升3～5倍，從而顯著減少雷達(dá)、電子戰(zhàn)裝置等國

據(jù)中國國防科技信息網(wǎng)報(bào)道，美國雷神公司在下一代氮化鎵(GaN)射頻半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域又取得一重大里程碑，研制出金剛石基GaN器件。金剛石做襯底材料，可將器件的熱傳導(dǎo)能力提升3～5倍，從而顯著減少雷達(dá)、電子戰(zhàn)裝置等國防系統(tǒng)的成本、尺寸、重量和功耗。

美國雷神公司已證實(shí)，金剛石基GaN器件可使晶體管功率密度比傳統(tǒng)SiC基GaN器件增加3倍，克服了阻礙氮化鎵器件發(fā)揮潛力的主要障礙。該數(shù)據(jù)由10×125微米金剛石基GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)測得，HEMT是組成單片微波集成電路(MMIC)功率放大器的基本單元，是固態(tài)射頻發(fā)射器和有源電子掃描陣列的基礎(chǔ)。該成果源于雷神公司之前取得的成就，包括雷神公司在2009年和2011年分別展示的業(yè)內(nèi)首個(gè)金剛石基GaN晶體管和金剛石基GaN MMIC。

雷神集成國防系統(tǒng)部(IDS)先進(jìn)技術(shù)分部副總裁喬·比昂迪說：“雷神公司繼續(xù)成為GaN技術(shù)的創(chuàng)新引領(lǐng)者。我們現(xiàn)正將GaN嵌入國防系統(tǒng)中，同時(shí)仍致力于增加這項(xiàng)革命性半導(dǎo)體的性能，為我們的士兵提供更強(qiáng)的傳感、通信和電子戰(zhàn)能力?！?/p>

金剛石基GaN器件通過減少器件內(nèi)的熱阻來實(shí)現(xiàn)革命性的性能改進(jìn)，使得GaN具備更高的功率密度，并顯著減少國防系統(tǒng)的成本、尺寸、重量和功耗。GaN是雷神公司的核心競爭力，以及公司重大項(xiàng)目背后的支柱技術(shù)，如空中和導(dǎo)彈防御雷達(dá)、下一代干擾機(jī)。GaN獨(dú)特的性能使得雷達(dá)、電子戰(zhàn)和通信系統(tǒng)變得更小、更高效和成本更低。

雷神公司最近還表示，在DARPA MTO辦公室的“寬禁帶半導(dǎo)體”項(xiàng)目的支持下，該公司已系統(tǒng)地實(shí)現(xiàn)了GaN從材料到晶體管、MMIC、收發(fā)模塊和收發(fā)集成多信道模塊的全面成熟，為國防部帶來了“改變游戲規(guī)則”的系統(tǒng)性能。