LED洗牌/中國(guó)半導(dǎo)體工藝獲突破

【導(dǎo)讀】據(jù)最新消息，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心，在22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺(tái)建設(shè)上，實(shí)現(xiàn)了重要突破。

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出帶透鏡的面貼裝小型、高輸出LED“CSL0701/0801系列”產(chǎn)品，是用于數(shù)碼相機(jī)或帶攝像功能的手機(jī)等的自動(dòng)對(duì)焦輔助光源的最佳產(chǎn)品。

通過(guò)羅姆特有的元器件加工技術(shù)和光學(xué)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最小級(jí)別的2924尺寸(2.9×2.4mm)，與以往產(chǎn)品相比安裝面積減少65%，高度降低30%，更加輕薄。

此次開(kāi)發(fā)的LED，采用了更小型的發(fā)光元件以及CAE(Computer Aided Engineering)技術(shù)光學(xué)設(shè)計(jì)，并且，利用羅姆獨(dú)家的模具技術(shù)采用了非球面透鏡，從而實(shí)現(xiàn)了非球面透鏡的面貼裝LED產(chǎn)品中的業(yè)界最小級(jí)別2924尺寸(2.9×2.4mm)。與以往產(chǎn)品相比，安裝面積減少了65%，高度降低了30%，更加輕薄。

編輯解讀：

近年來(lái)，數(shù)碼相機(jī)及部分帶攝像功能的手機(jī)正朝著小型化、高性能化方向迅速發(fā)展，因此，對(duì)所使用的電子零部件的小型化、輕薄化要求也越來(lái)越高。另外，隨著這些設(shè)備的多功能化發(fā)展，電流越發(fā)增加，因此，對(duì)更低功耗產(chǎn)品的需求也日益高漲。

另一方面，為了準(zhǔn)確測(cè)量焦點(diǎn)，自動(dòng)對(duì)焦輔助光用的透鏡LED需要發(fā)出充分的光量給被攝物，因此，一般會(huì)采用半球透鏡，這就很難實(shí)現(xiàn)小型、輕薄化。

自從羅姆于業(yè)界第一家開(kāi)發(fā)出可自動(dòng)回流焊的自動(dòng)對(duì)焦輔助光用側(cè)視型LED以來(lái)，相關(guān)產(chǎn)品日益小型化、高性能化，并一直擁有引以為豪的高市場(chǎng)占有率。

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中國(guó)22納米半導(dǎo)體工藝獲重大突破

說(shuō)起先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，Intel、IBM、臺(tái)積電、三星電子這些耳熟能詳?shù)拿挚隙〞?huì)立刻出現(xiàn)在大家的腦海中，而因?yàn)楦鞣矫娴南拗疲瑖?guó)內(nèi)在這方面的差距還非常非常大，只有中芯國(guó)際能拿得出手，但也總比國(guó)外落后幾個(gè)時(shí)代。

不過(guò)據(jù)最新消息，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心(以下簡(jiǎn)稱先導(dǎo)工藝研發(fā)中心)通過(guò)4年的艱苦攻關(guān)，在22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺(tái)建設(shè)上，實(shí)現(xiàn)了重要突破，在國(guó)內(nèi)首次采用后高K工藝成功研制出包含先進(jìn)高K/金屬柵模塊的22納米柵長(zhǎng)MOSFETs，器件性能良好。

編輯解讀：

由于這一工作采用了與工業(yè)生產(chǎn)一致的工藝方法和流程，具備向產(chǎn)業(yè)界轉(zhuǎn)移的條件，因而對(duì)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級(jí)形成了具有實(shí)際意義的推動(dòng)作用。同時(shí)，該先導(dǎo)工藝研發(fā)中心建成了一個(gè)能夠開(kāi)展22納米及以下技術(shù)代研發(fā)的工藝平臺(tái)。 這標(biāo)志著，我國(guó)也加入了高端集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)的國(guó)際俱樂(lè)部。

MEMS諧振器超越石英性能

SiTime公司(SiTime Corporation)今天宣布，推出TempFlat MEMS。在TempFlat出現(xiàn)之前，所有MEMS振蕩器都采用補(bǔ)償電路來(lái)達(dá)到所需頻率穩(wěn)定度。 而SiTime的TempFlat MEMS是一個(gè)革命性的突破，通過(guò)消除溫度補(bǔ)償需求，大幅度的促進(jìn)了性能的提高，尺寸的縮小，功耗和成本的降低。

Yole Developpement的策劃經(jīng)理和首席分析師Laurent Robin表示：“到2018年，預(yù)計(jì)MEMS振蕩器市場(chǎng)將以60%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，達(dá)到4.67億美元，成為MEMS產(chǎn)業(yè)前三大增長(zhǎng)領(lǐng)域之一。SiTime的TempFlat MEMS的是一個(gè)令人興奮的發(fā)展，有助于SiTime瞄準(zhǔn)任何精密時(shí)鐘應(yīng)用的目標(biāo)，無(wú)一例外。SiTime的TempFlat MEMS技術(shù)和半導(dǎo)體基礎(chǔ)設(shè)施無(wú)與倫比的組合將永久改變時(shí)鐘市場(chǎng)，同時(shí)加快硅MEMS時(shí)鐘解決方案的采用。”

編輯解讀：

SiTime始創(chuàng)時(shí)就具有了利用改變游戲規(guī)則的MEMS和模擬技術(shù)，可以推動(dòng)時(shí)鐘發(fā)展。SiTime公司可以憑借TempFlat MEMS，針對(duì)智能手機(jī)的32 kHz振蕩器，進(jìn)軍高速發(fā)展的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)。

賽靈思發(fā)布業(yè)界首款A(yù)SIC級(jí)可編程架構(gòu)UltraScale，20nm開(kāi)始投片

Xilinx日前宣布，延續(xù)28nm工藝一系列行業(yè)創(chuàng)新，在20nm工藝節(jié)點(diǎn)再次推出兩大行業(yè)第一：投片半導(dǎo)體行業(yè)首款20nm器件，也是可編程邏輯器件(PLD)行業(yè)首款20nm All Programmable器件;發(fā)布行業(yè)第一個(gè)ASIC級(jí)可編程架構(gòu)UltraScale。這些具有里程碑意義的行業(yè)第一發(fā)布，延續(xù)了賽靈思在28nm領(lǐng)域投片首款器件以及在All Programmable SoC、All Programmable 3D IC和SoC增強(qiáng)型設(shè)計(jì)套件上所實(shí)現(xiàn)的一系列行業(yè)第一的優(yōu)勢(shì)。

賽靈思同臺(tái)積合作，就像28HPL(高性能低功耗)開(kāi)發(fā)過(guò)程一樣，把高端FPGA的要求注入20SoC開(kāi)發(fā)工藝之中。賽靈思和臺(tái)積公司在28nm工藝節(jié)點(diǎn)上的通力協(xié)作，讓賽靈思成為行業(yè)第一個(gè)28nm All Programmable FPGA、SoC和3D IC器件的推出者，把賽靈思推上了性價(jià)比和功耗、可編程系統(tǒng)集成以及降低材料清單(BOM)成本方面領(lǐng)先一代的地位?，F(xiàn)在，賽靈思已經(jīng)將這種行之有效的行業(yè)領(lǐng)先合作模式從28nm擴(kuò)展到20nm，推出了行業(yè)首個(gè)ASIC級(jí)可編程架構(gòu) — UltraScale。

編輯解讀：

現(xiàn)在，數(shù)據(jù)流的增大對(duì)系統(tǒng)性能提出了新的要求，智能處理的能力和速度的要求越來(lái)越高，對(duì)通信、時(shí)鐘、關(guān)鍵路徑以及互連技術(shù)的綜合性能要求也隨之水漲船高，最新開(kāi)發(fā)的UltraScale架構(gòu)包括20nm平面晶體管結(jié)構(gòu)(planar)工藝和16nm乃至FinFET晶體管技術(shù)擴(kuò)展，包括單芯片(monolithic)和3D IC。它不僅能解決整體系統(tǒng)吞吐量擴(kuò)展限制的問(wèn)題和時(shí)延問(wèn)題，還能直接應(yīng)對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片性能方面的最大瓶頸問(wèn)題 — 互連。

要和蘋(píng)果分手了?三星將向亞馬遜和索尼提供芯片

三星和蘋(píng)果曾達(dá)成協(xié)議，規(guī)定三星于2014年年底將停止向蘋(píng)果提供配件。在這一協(xié)議之下，三星將會(huì)向蘋(píng)果提供用于即將推出的iPhone 5S以及新iPad的處理器芯片直到明年上半年。為蘋(píng)果提供芯片是三星業(yè)務(wù)中的重要一環(huán)。市場(chǎng)研究公司IC Insights的數(shù)據(jù)顯示，三星去年芯片業(yè)務(wù)43.3億美元的營(yíng)收中有89%都來(lái)自于蘋(píng)果，約38億美元。

在和蘋(píng)果業(yè)務(wù)終止之前，三星正在為自己的芯片尋找眾多買主。一位消息人士透露：“三星盯上了亞馬遜、索尼、Nvidia等，希望把他們變?yōu)樾驴蛻粢缘窒O(píng)果降低采購(gòu)額的影響。”[!--empirenews.page--]

消息人士還透露，三星正在就相關(guān)事宜和索尼以及Nvidia進(jìn)行談判，但三星和亞馬遜還并未走到談判環(huán)節(jié)。原因很可能是亞馬遜正在為自主品牌開(kāi)發(fā)處理器芯片，這些芯片很有可能會(huì)用在Kindle系列平板電腦上。

編輯解讀：

蘋(píng)果與三星的關(guān)系歷來(lái)是錯(cuò)綜復(fù)雜，一方面專利官司打不停，一方面又積極合作。

如果三星和這些公司最終達(dá)成共識(shí)，一些搭載Exynos芯片的智能手機(jī)，如索尼智能手機(jī)將會(huì)有新的發(fā)展空間。另外三星也很有可能會(huì)生產(chǎn)Nvidia的芯片。眾所周知，Nvidia正在尋找能運(yùn)用自己圖形技術(shù)的芯片開(kāi)發(fā)商，或許Nvidia和三星在未來(lái)將會(huì)合作生產(chǎn)芯片?

目前這些消息尚未得到相關(guān)公司的證實(shí)。但如果消息確實(shí)屬實(shí)，那么三星在移動(dòng)市場(chǎng)上的地位將會(huì)產(chǎn)生何種變化?智能手機(jī)最大芯片制造商高通地位是否會(huì)受到三星的影響?讓我們拭目以待。
【導(dǎo)讀】據(jù)最新消息，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心，在22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺(tái)建設(shè)上，實(shí)現(xiàn)了重要突破。

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)開(kāi)發(fā)出帶透鏡的面貼裝小型、高輸出LED“CSL0701/0801系列”產(chǎn)品，是用于數(shù)碼相機(jī)或帶攝像功能的手機(jī)等的自動(dòng)對(duì)焦輔助光源的最佳產(chǎn)品。

通過(guò)羅姆特有的元器件加工技術(shù)和光學(xué)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最小級(jí)別的2924尺寸(2.9×2.4mm)，與以往產(chǎn)品相比安裝面積減少65%，高度降低30%，更加輕薄。

此次開(kāi)發(fā)的LED，采用了更小型的發(fā)光元件以及CAE(Computer Aided Engineering)技術(shù)光學(xué)設(shè)計(jì)，并且，利用羅姆獨(dú)家的模具技術(shù)采用了非球面透鏡，從而實(shí)現(xiàn)了非球面透鏡的面貼裝LED產(chǎn)品中的業(yè)界最小級(jí)別2924尺寸(2.9×2.4mm)。與以往產(chǎn)品相比，安裝面積減少了65%，高度降低了30%，更加輕薄。

編輯解讀：

近年來(lái)，數(shù)碼相機(jī)及部分帶攝像功能的手機(jī)正朝著小型化、高性能化方向迅速發(fā)展，因此，對(duì)所使用的電子零部件的小型化、輕薄化要求也越來(lái)越高。另外，隨著這些設(shè)備的多功能化發(fā)展，電流越發(fā)增加，因此，對(duì)更低功耗產(chǎn)品的需求也日益高漲。

另一方面，為了準(zhǔn)確測(cè)量焦點(diǎn)，自動(dòng)對(duì)焦輔助光用的透鏡LED需要發(fā)出充分的光量給被攝物，因此，一般會(huì)采用半球透鏡，這就很難實(shí)現(xiàn)小型、輕薄化。

自從羅姆于業(yè)界第一家開(kāi)發(fā)出可自動(dòng)回流焊的自動(dòng)對(duì)焦輔助光用側(cè)視型LED以來(lái)，相關(guān)產(chǎn)品日益小型化、高性能化，并一直擁有引以為豪的高市場(chǎng)占有率。

 中國(guó)半導(dǎo)體工藝" />

中國(guó)22納米半導(dǎo)體工藝獲重大突破

說(shuō)起先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝，Intel、IBM、臺(tái)積電、三星電子這些耳熟能詳?shù)拿挚隙〞?huì)立刻出現(xiàn)在大家的腦海中，而因?yàn)楦鞣矫娴南拗疲瑖?guó)內(nèi)在這方面的差距還非常非常大，只有中芯國(guó)際能拿得出手，但也總比國(guó)外落后幾個(gè)時(shí)代。

不過(guò)據(jù)最新消息，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心(以下簡(jiǎn)稱先導(dǎo)工藝研發(fā)中心)通過(guò)4年的艱苦攻關(guān)，在22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺(tái)建設(shè)上，實(shí)現(xiàn)了重要突破，在國(guó)內(nèi)首次采用后高K工藝成功研制出包含先進(jìn)高K/金屬柵模塊的22納米柵長(zhǎng)MOSFETs，器件性能良好。

編輯解讀：

由于這一工作采用了與工業(yè)生產(chǎn)一致的工藝方法和流程，具備向產(chǎn)業(yè)界轉(zhuǎn)移的條件，因而對(duì)我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級(jí)形成了具有實(shí)際意義的推動(dòng)作用。同時(shí)，該先導(dǎo)工藝研發(fā)中心建成了一個(gè)能夠開(kāi)展22納米及以下技術(shù)代研發(fā)的工藝平臺(tái)。 這標(biāo)志著，我國(guó)也加入了高端集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)的國(guó)際俱樂(lè)部。

MEMS諧振器超越石英性能

SiTime公司(SiTime Corporation)今天宣布，推出TempFlat MEMS。在TempFlat出現(xiàn)之前，所有MEMS振蕩器都采用補(bǔ)償電路來(lái)達(dá)到所需頻率穩(wěn)定度。 而SiTime的TempFlat MEMS是一個(gè)革命性的突破，通過(guò)消除溫度補(bǔ)償需求，大幅度的促進(jìn)了性能的提高，尺寸的縮小，功耗和成本的降低。

Yole Developpement的策劃經(jīng)理和首席分析師Laurent Robin表示：“到2018年，預(yù)計(jì)MEMS振蕩器市場(chǎng)將以60%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng)，達(dá)到4.67億美元，成為MEMS產(chǎn)業(yè)前三大增長(zhǎng)領(lǐng)域之一。SiTime的TempFlat MEMS的是一個(gè)令人興奮的發(fā)展，有助于SiTime瞄準(zhǔn)任何精密時(shí)鐘應(yīng)用的目標(biāo)，無(wú)一例外。SiTime的TempFlat MEMS技術(shù)和半導(dǎo)體基礎(chǔ)設(shè)施無(wú)與倫比的組合將永久改變時(shí)鐘市場(chǎng)，同時(shí)加快硅MEMS時(shí)鐘解決方案的采用。”

編輯解讀：

SiTime始創(chuàng)時(shí)就具有了利用改變游戲規(guī)則的MEMS和模擬技術(shù)，可以推動(dòng)時(shí)鐘發(fā)展。SiTime公司可以憑借TempFlat MEMS，針對(duì)智能手機(jī)的32 kHz振蕩器，進(jìn)軍高速發(fā)展的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)。

賽靈思發(fā)布業(yè)界首款A(yù)SIC級(jí)可編程架構(gòu)UltraScale，20nm開(kāi)始投片

Xilinx日前宣布，延續(xù)28nm工藝一系列行業(yè)創(chuàng)新，在20nm工藝節(jié)點(diǎn)再次推出兩大行業(yè)第一：投片半導(dǎo)體行業(yè)首款20nm器件，也是可編程邏輯器件(PLD)行業(yè)首款20nm All Programmable器件;發(fā)布行業(yè)第一個(gè)ASIC級(jí)可編程架構(gòu)UltraScale。這些具有里程碑意義的行業(yè)第一發(fā)布，延續(xù)了賽靈思在28nm領(lǐng)域投片首款器件以及在All Programmable SoC、All Programmable 3D IC和SoC增強(qiáng)型設(shè)計(jì)套件上所實(shí)現(xiàn)的一系列行業(yè)第一的優(yōu)勢(shì)。

賽靈思同臺(tái)積合作，就像28HPL(高性能低功耗)開(kāi)發(fā)過(guò)程一樣，把高端FPGA的要求注入20SoC開(kāi)發(fā)工藝之中。賽靈思和臺(tái)積公司在28nm工藝節(jié)點(diǎn)上的通力協(xié)作，讓賽靈思成為行業(yè)第一個(gè)28nm All Programmable FPGA、SoC和3D IC器件的推出者，把賽靈思推上了性價(jià)比和功耗、可編程系統(tǒng)集成以及降低材料清單(BOM)成本方面領(lǐng)先一代的地位?，F(xiàn)在，賽靈思已經(jīng)將這種行之有效的行業(yè)領(lǐng)先合作模式從28nm擴(kuò)展到20nm，推出了行業(yè)首個(gè)ASIC級(jí)可編程架構(gòu) — UltraScale。

編輯解讀：

現(xiàn)在，數(shù)據(jù)流的增大對(duì)系統(tǒng)性能提出了新的要求，智能處理的能力和速度的要求越來(lái)越高，對(duì)通信、時(shí)鐘、關(guān)鍵路徑以及互連技術(shù)的綜合性能要求也隨之水漲船高，最新開(kāi)發(fā)的UltraScale架構(gòu)包括20nm平面晶體管結(jié)構(gòu)(planar)工藝和16nm乃至FinFET晶體管技術(shù)擴(kuò)展，包括單芯片(monolithic)和3D IC。它不僅能解決整體系統(tǒng)吞吐量擴(kuò)展限制的問(wèn)題和時(shí)延問(wèn)題，還能直接應(yīng)對(duì)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片性能方面的最大瓶頸問(wèn)題 — 互連。[!--empirenews.page--]

要和蘋(píng)果分手了?三星將向亞馬遜和索尼提供芯片

三星和蘋(píng)果曾達(dá)成協(xié)議，規(guī)定三星于2014年年底將停止向蘋(píng)果提供配件。在這一協(xié)議之下，三星將會(huì)向蘋(píng)果提供用于即將推出的iPhone 5S以及新iPad的處理器芯片直到明年上半年。為蘋(píng)果提供芯片是三星業(yè)務(wù)中的重要一環(huán)。市場(chǎng)研究公司IC Insights的數(shù)據(jù)顯示，三星去年芯片業(yè)務(wù)43.3億美元的營(yíng)收中有89%都來(lái)自于蘋(píng)果，約38億美元。

在和蘋(píng)果業(yè)務(wù)終止之前，三星正在為自己的芯片尋找眾多買主。一位消息人士透露：“三星盯上了亞馬遜、索尼、Nvidia等，希望把他們變?yōu)樾驴蛻粢缘窒O(píng)果降低采購(gòu)額的影響。”

消息人士還透露，三星正在就相關(guān)事宜和索尼以及Nvidia進(jìn)行談判，但三星和亞馬遜還并未走到談判環(huán)節(jié)。原因很可能是亞馬遜正在為自主品牌開(kāi)發(fā)處理器芯片，這些芯片很有可能會(huì)用在Kindle系列平板電腦上。

編輯解讀：

蘋(píng)果與三星的關(guān)系歷來(lái)是錯(cuò)綜復(fù)雜，一方面專利官司打不停，一方面又積極合作。

如果三星和這些公司最終達(dá)成共識(shí)，一些搭載Exynos芯片的智能手機(jī)，如索尼智能手機(jī)將會(huì)有新的發(fā)展空間。另外三星也很有可能會(huì)生產(chǎn)Nvidia的芯片。眾所周知，Nvidia正在尋找能運(yùn)用自己圖形技術(shù)的芯片開(kāi)發(fā)商，或許Nvidia和三星在未來(lái)將會(huì)合作生產(chǎn)芯片?

目前這些消息尚未得到相關(guān)公司的證實(shí)。但如果消息確實(shí)屬實(shí)，那么三星在移動(dòng)市場(chǎng)上的地位將會(huì)產(chǎn)生何種變化?智能手機(jī)最大芯片制造商高通地位是否會(huì)受到三星的影響?讓我們拭目以待。
【導(dǎo)讀】據(jù)最新消息，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心，在22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺(tái)建設(shè)上，實(shí)現(xiàn)了重要突破。

美宇航局2020年再登陸火星尋找遠(yuǎn)古生命痕跡

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，美國(guó)宇航局目前正在規(guī)劃2020年火星探索構(gòu)想，計(jì)劃利用現(xiàn)有的好奇號(hào)平臺(tái)進(jìn)行升級(jí)改進(jìn)，打造可全新的火星“漫游者”?？茖W(xué)家認(rèn)為好奇號(hào)平臺(tái)適合繼續(xù)改進(jìn)，以滿足2020年代登陸火星的任務(wù)

2012年降落在火星赤道以南蓋爾撞擊坑的好奇號(hào)火星車采用多種先進(jìn)技術(shù)，美國(guó)宇航局認(rèn)為這一平臺(tái)可以滿足未來(lái)對(duì)火星的探索，任務(wù)目的依然是尋找火星上的生命跡象，屆時(shí)還將把火星樣品帶回地球研究。火星2020年科學(xué)調(diào)查團(tuán)隊(duì)編制了長(zhǎng)達(dá)154頁(yè)的文件，勾勒出未來(lái)20年火星探索的藍(lán)圖，根據(jù)NASA的計(jì)劃表，2030年代將向火星派遣宇航員并完成登陸。

編輯解讀：

在2012年，好奇號(hào)有過(guò)成功案例，去年好奇號(hào)依靠風(fēng)河公司VxWorks實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)來(lái)執(zhí)行關(guān)鍵任務(wù)，如地面作業(yè)控制、數(shù)據(jù)采集以及火星與地球間的通信中繼。而使用好奇號(hào)作為下一代火星車的設(shè)計(jì)平臺(tái)有助于控制成本和降低任務(wù)風(fēng)險(xiǎn)。

Sandisk推80MBps高速microSD卡 大部分手機(jī)不支持

近日，Sandisk公司推出了新的“Extreme”micro SD卡系列，有16GB、32GB和64GB容量可選，該系列產(chǎn)品稱其數(shù)據(jù)傳輸速度可以高達(dá)80MBps。

Android Policy對(duì)Extreme進(jìn)行了測(cè)試，結(jié)果表明當(dāng)使用一個(gè)專用的讀卡器，64GB卡的速度達(dá)到了78MBps。當(dāng)然，如果把卡插入智能手機(jī)里，結(jié)果就相差甚遠(yuǎn)了。目前，除了三星Galaxy S4的Exynos 5 Octa處理器，大部分智能手機(jī)都不支持更新版的UHS-1標(biāo)準(zhǔn)，眾所周知UHS-1標(biāo)準(zhǔn)的傳輸速度有了大幅度提升。

另外，Extreme同樣被放進(jìn)Galaxy Note II上進(jìn)行測(cè)試，結(jié)果表明，SanDisk的新款數(shù)據(jù)卡只達(dá)到了14MBps的讀取速度和14.6MBps的寫(xiě)入速度。盡管和使用專用讀卡器的結(jié)果差距巨大，不過(guò)它仍然比上一代64GB SanDisk microSD卡的速度要快50%到100%。

 

 

編輯解讀：

想必沒(méi)有一個(gè)人喜歡在用SD卡傳輸文件時(shí)的漫長(zhǎng)等待過(guò)程，也沒(méi)有人會(huì)因?yàn)樽非笏俣榷硗赓?gòu)置一個(gè)專用讀卡器。所以現(xiàn)在最關(guān)鍵的問(wèn)題是手機(jī)性能需要迎頭趕上，跟上數(shù)據(jù)卡的發(fā)展。否則就算數(shù)據(jù)卡速度再快，在手機(jī)上也無(wú)用武之地。

國(guó)標(biāo)即將出臺(tái)LED產(chǎn)業(yè)面臨洗牌 龍頭股望受益

中半導(dǎo)體照明(LED)被譽(yù)為第四代照明技術(shù)，中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)正在經(jīng)歷著高速增長(zhǎng)。記者從11日在上海舉行的中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明應(yīng)用技術(shù)論壇上獲悉，中國(guó)強(qiáng)制性照明安全國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)明年有望出臺(tái)，魚(yú)龍混雜的中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)將面臨大規(guī)模“洗牌”。

編輯解讀：

分析人士認(rèn)為，新“國(guó)標(biāo)”出臺(tái)無(wú)疑將使中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)面臨“洗牌”。LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模總量今年繼續(xù)擴(kuò)大，但今年的特點(diǎn)是沒(méi)有技術(shù)特點(diǎn)的企業(yè)生存空間縮小，而大企業(yè)的接單量擴(kuò)張，隨著LED技術(shù)逐漸成熟，一定會(huì)有品質(zhì)更高的產(chǎn)品脫穎而出，同時(shí)低端產(chǎn)品將被市場(chǎng)淘汰。

LED行業(yè)龍頭有望受益國(guó)標(biāo)推出，三安光電、天富熱電、聚飛光電、水晶光電、萊寶高科等。

中移動(dòng)TD-LTE終端采購(gòu)接盅 23家公司入圍

據(jù)上證報(bào)報(bào)道，中國(guó)移動(dòng)TD-LTE終端第二季度集中采購(gòu)已于日前正式結(jié)束。本次采購(gòu)規(guī)模約為20萬(wàn)部，包括約15萬(wàn)部的MiFi、約3萬(wàn)部的數(shù)據(jù)卡、約2萬(wàn)部的CPE以及約6500部手機(jī)，中標(biāo)企業(yè)將進(jìn)行為期三天的公示。

編輯解讀：

隨著中移動(dòng)近幾年加大力度擴(kuò)建4G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，業(yè)內(nèi)還預(yù)計(jì)相關(guān)設(shè)備的需求也將迎來(lái)高峰。國(guó)海證券指出，4G網(wǎng)絡(luò)的建設(shè)將帶動(dòng)幾大細(xì)分行業(yè)率先受益。在無(wú)線基站建設(shè)與傳輸網(wǎng)建領(lǐng)域，中興通訊、烽火通信、日海通訊等上市公司有望脫穎而出;在無(wú)線射頻配套領(lǐng)域，大富科技、武漢凡谷等則可能分得一杯羹。