飛兆半導(dǎo)體第二代XS™ DrMOS為設(shè)計人員提供更薄的Ultrabook™ 應(yīng)用解決方案
摘要: Ultrabook™設(shè)備和筆記本等應(yīng)用的設(shè)計人員面臨降低電源設(shè)計中電感高度的挑戰(zhàn),以滿足更薄的低側(cè)高終端系統(tǒng)要求。有鑒于此,飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS™ DrMOS系列FDMF6708N,這是經(jīng)全面優(yōu)化的緊湊型集成MOSFET解決方案加驅(qū)動器功率級解決方案,用于大電流、高頻率同步降壓DC-DC應(yīng)用。
關(guān)鍵字: 筆記本, 電源設(shè)計, 驅(qū)動器IC, 低源極電感
Ultrabook™設(shè)備和筆記本等應(yīng)用的設(shè)計人員面臨降低電源設(shè)計中電感高度的挑戰(zhàn),以滿足更薄的低側(cè)高終端系統(tǒng)要求。有鑒于此,飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS™ DrMOS系列FDMF6708N,這是經(jīng)全面優(yōu)化的緊湊型集成MOSFET解決方案加驅(qū)動器功率級解決方案,用于大電流、高頻率同步降壓DC-DC應(yīng)用。FDMF6708N集成了一個驅(qū)動器IC、兩個功率MOSFET和一個自舉肖特基二極管,采用熱性能增強型6x6mm2 PQFN Intel® DrMOS v4.0標準封裝。
FDMF6708N可讓設(shè)計人員節(jié)省50%的占位面積,同時提供高開關(guān)頻率和高功率密度。該器件的過零檢測(ZCD)功能改善了輕負載效率,延長了電池壽命。與傳統(tǒng)分立解決方案不同,F(xiàn)DMF6708N使用最新的控制FET和SyncFET™ 技術(shù)以及具有更低源極電感的clip-bond封裝,在滿負載下提供高效率。而傳統(tǒng)分立解決方案需要更大的PCB空間、更長的布局走線、更厚的電感,以及更多的元件,因而在使用較薄磁性元件所需的較高頻率下散熱性能不良。
FDMF6708N采用PQFN 6x6mm2 封裝,與最接近的競爭產(chǎn)品相比,該器件在峰值負載下(15A)效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。該器件適用于要求開關(guān)頻率在600KHz – 1.0MHz,輸入電壓甚至達到20V的應(yīng)用??勺屧O(shè)計人員使用更小、更薄的電感和電容,減小解決方案的尺寸,同時滿足熱性能要求。FDMF6708N器件能夠幫助設(shè)計人員應(yīng)對設(shè)計挑戰(zhàn),設(shè)計出更酷、更薄且具有更高能效的Ultrabook™產(chǎn)品。
特性和優(yōu)勢
· 超過1.0MHz的開關(guān)頻率減小了解決方案的總體尺寸,節(jié)省了50%的線路板空間,并且通過降低電感高度,實現(xiàn)更薄的系統(tǒng)。
· 過零檢測(ZCD)電路改善了輕負載性能
· PQFN 6x6mm2 Intel® DrMOS v4.0標準占位面積、多源極解決方案多芯片模塊(MCM)
· 與最接近的競爭產(chǎn)品相比,該器件在峰值負載下(15A) 效率提高2.5%,在滿負載條件下(30A)效率改善6%。(19Vin, 1Vout, 800KHz),實現(xiàn)更長的電池壽命。
飛兆半導(dǎo)體Generation II XS DrMOS系列器件提供業(yè)界領(lǐng)先技術(shù),以應(yīng)對現(xiàn)今電子設(shè)計所遇到的能效和外形尺寸挑戰(zhàn)。這些器件是飛兆半導(dǎo)體高能效的功率模擬、功率分立和光電子解決方案的一部分,能夠在功率敏感應(yīng)用中實現(xiàn)最大節(jié)能。