華虹NEC將在IC China 2010展示五大最新技術(shù)和解決方案

（中國，上?！?010年11月5日）第八屆中國國際半導(dǎo)體博覽會暨高峰論壇（IC China 2010）于2010年10月21～23日在蘇州國際博覽中心舉辦。本屆盛會以“合作創(chuàng)新、整合優(yōu)化、持續(xù)發(fā)展”為主題，不僅匯聚了中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重大成果，而且展望了下一個五年產(chǎn)業(yè)發(fā)展的宏偉藍圖。

世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠之一，上海華虹NEC電子有限公司（以下簡稱“華虹NEC”）精彩亮相IC China 2010，展示了其嵌入式非揮發(fā)性存儲器、模擬/電源管理芯片、高壓、射頻和功率器件等五大特色工藝平臺的最新技術(shù)和解決方案。新穎別致的展臺、豐富多樣的展品吸引了眾多參觀者駐足觀看。中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會名譽理事長俞忠鈺先生、執(zhí)行副理事長徐小田先生等領(lǐng)導(dǎo)也親臨華虹NEC展臺參觀，對公司的新產(chǎn)品和新技術(shù)表現(xiàn)出了濃厚的興趣。

IC China 2010的高峰論壇和專題技術(shù)研討會也在展會期間同期舉辦，對全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展、最新技術(shù)、IC產(chǎn)品設(shè)計以及綠色節(jié)能等熱點問題進行了探討和交流。華虹NEC市場副總裁高峰先生應(yīng)邀在中國半導(dǎo)體裝備、材料與制造工藝專題研討會上發(fā)表了題為“新興熱點應(yīng)用的代工解決方案”的精彩演講，并向與會專家和領(lǐng)導(dǎo)匯報了公司承擔(dān)的兩個國家科技重大專項（02專項）的進展情況及階段性成果。他說：“華虹NEC正在開發(fā)世界先進的高密度0.18微米Bipolar-CMOS-DMOS(BCD180)技術(shù)和0.18/0.13微米 SiGe-BiCMOS技術(shù)，以期實現(xiàn)高端電源管理芯片和無線射頻芯片的國產(chǎn)化。目前這兩個02專項項目進展順利，我們正在為將來的量產(chǎn)做準(zhǔn)備。華虹NEC將不斷增強自主創(chuàng)新能力，以更先進的技術(shù)和更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)，與客戶共同迎接半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新一輪發(fā)展！”

此外，公司在展會期間還舉行了“工藝技術(shù)平臺發(fā)展路線圖”現(xiàn)場發(fā)布會，與眾多與會嘉賓共同分享了華虹NEC的最新技術(shù)路線圖和發(fā)展規(guī)劃。