英特爾研發(fā)的世界首款32納米芯片將面世
美國東部時(shí)間8月18日,IBM宣布其聯(lián)合了AMD,意法半導(dǎo)體等研發(fā)的22納米SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)芯片制造工藝已取得成功,該芯片將會(huì)在其位于紐約州的300毫米研發(fā)工廠進(jìn)行測(cè)試和試產(chǎn)。
據(jù)悉,AMD本次發(fā)布的22納米技術(shù)領(lǐng)先當(dāng)前市場(chǎng)芯片最高工藝兩倍,這一技術(shù)已經(jīng)打破上一代的半導(dǎo)體芯片密度界限。
目前市場(chǎng)上所銷售的芯片產(chǎn)品最高工藝為45納米工藝,而Intel研發(fā)的世界首款32納米工藝的芯片預(yù)計(jì)將于本周在美國的英特爾2008年秋季信息技術(shù)峰會(huì)上面世。