得益Vista效應未來三年內(nèi)存成長稱冠半導體

時間：2014-06-09 14:54:00

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[導讀]【導讀】得益Vista效應未來三年內(nèi)存成長稱冠半導體雖然近來DRAM的合約與現(xiàn)貨市場呈現(xiàn)兩極化的態(tài)勢，但由于Vista效應影響，美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SIA）日前發(fā)表的最新報告中顯示，未來三年內(nèi)，DRAM仍是全球

【導讀】得益Vista效應未來三年內(nèi)存成長稱冠半導體        雖然近來DRAM的合約與現(xiàn)貨市場呈現(xiàn)兩極化的態(tài)勢，但由于Vista效應影響，美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SIA）日前發(fā)表的最新報告中顯示，未來三年內(nèi)，DRAM仍是全球半導體產(chǎn)業(yè)中，年復合成長率（CAGR）最高的產(chǎn)品線，估計將超過14％。此外，受惠于消費性電子產(chǎn)品對儲存容量的提高，未來三年內(nèi)NAND Flash也可望有11％的年復合成長率表現(xiàn)。
      SIA的報告中指出，未來三年內(nèi)，內(nèi)存會是所有半導體產(chǎn)品中，成長幅度最大的類別，尤其自今年底至明年初因Vista新操作系統(tǒng)的帶動，DRAM將是成長最迅速產(chǎn)品，年復合平均成長率預測將超越14％。
      因數(shù)字相機與MP3等消費性產(chǎn)品對內(nèi)建內(nèi)存容量需求的增加，因此NAND Flash也可望有不錯的銷售成績，SIA就預計，未來三年NANDFlash的平均年復合成長率也會高達11％，另外因NAND Flash會開始大量應用在PC等相關(guān)市場，因此預計到2009年，配備NAND drive的筆記型計算機將搶占筆記型市場的四分之一。
      其實近來在DRAM現(xiàn)貨與合約市場端，出現(xiàn)買氣迥異的情況，通路市場方面，則因觀望氣氛過于濃厚，買氣縮手，光華市場等通路端還出現(xiàn)DRAM模塊大砍價的現(xiàn)象，跌幅一到三成不等，主流的1GB DDR2 667MHz模塊的最低報價甚至已經(jīng)跌到新臺幣3700元。但反觀合約市場，受益于Vista新操作系統(tǒng)的帶動，OEM大廠普遍性的還是拿不到足夠的DRAM貨源。
      DRAM業(yè)者對于Vista效應，普遍抱持樂觀態(tài)度。南科便認為，市場仍產(chǎn)業(yè)前景看佳，目前看來合約價走勢有機會再延續(xù)到12月。某市調(diào)認為，第四季DRAM合約市場仍供給吃緊，平均售價有機會較第三季上揚，加上各家DRAM產(chǎn)出持續(xù)增加，估計第四季全球DRAM品牌廠商銷售額仍有7%以上的成長幅度。在單季位元成長率增加幅度上，以三星達26%居首，力晶與茂德也各有20%及15%的幅度，南科則為8%左右。另外，力晶認為主要是基于PC內(nèi)建內(nèi)存模塊正自1GB走向1.3GB，因此市況至少可預計旺到明年1月沒有問題。茂德則解釋，合約市場還是熱絡的原因，是取自于單一PC內(nèi)建內(nèi)存模塊自512MB走向1GB甚至2GB，而此市場趨勢不會中斷，延續(xù)到明年第一季的前半段應該沒問題。