中國科學院院長路甬祥視察半導體研究所

【導讀】中國科學院院長路甬祥視察半導體研究所   
    8月28日，全國人大常委會副委員長、中國科學院院長路甬祥視察了半導體所，并為在固體物理學領(lǐng)域做出了杰出成就和貢獻的世界著名物理學家黃昆院士雕像落成揭幕。

    在半導體所所長李晉閩、黨委書記陳樹堂、半導體集成技術(shù)研究中心主任楊富華等人的陪同下，路甬祥視察了半導體所集成技術(shù)工程研究中心、半導體所展室，聽取了半導體所李晉閩所長關(guān)于研究所工作的匯報，并與王守覺、王啟明、陳良惠、梁駿吾等院士以及中青年科技人員座談，就相關(guān)科研及管理問題進行了充分的交流。

    路甬祥指出，半導體所的優(yōu)勢是在光電子與微電子的結(jié)合，要進一步提升自主創(chuàng)新能力和集成技術(shù)水平，努力加強科技平臺建設(shè)。半導體所完成了半導體集成技術(shù)工程中心的建設(shè)，搭建了一個很好的平臺，提升了核心競爭力，為三期創(chuàng)新奠定了較好的基礎(chǔ)。他指出，半導體集成技術(shù)工程中心這樣設(shè)備先進的平臺應(yīng)面向全院、全國開放，為國家的科技創(chuàng)新做出更大貢獻。

    路甬祥指出，半導體所比較重視科技成果社會化轉(zhuǎn)移，并已形成成功轉(zhuǎn)移案例，與社會力量結(jié)合實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化做的比較好。半導體所是高技術(shù)研究所，應(yīng)該走產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移的道路，提供優(yōu)良的技術(shù)和人才資源，幫助企業(yè)真正成為產(chǎn)業(yè)化的主體，使研究所真正為社會所用，為推動國家發(fā)展發(fā)揮更大的作用。 

    路甬祥要求半導體所，創(chuàng)新三期要在堅持“面向國家戰(zhàn)略需求，面向世界科學前沿，加強原始科學創(chuàng)新，加強關(guān)鍵技術(shù)創(chuàng)新與集成”，特別是要和中科院創(chuàng)新三期將著重建設(shè)的“1＋10”科技創(chuàng)新基地緊密結(jié)合起來，積極參與信息、先進制造、能源等相關(guān)基地的建設(shè)和創(chuàng)新活動。

    中科院基礎(chǔ)局局長張杰，高技術(shù)局局長相里斌，北京分院黨組常務(wù)副書記、副院長項國英，辦公廳副主任丁二友陪同視察。