MACOM推出用于GaN制RF晶體管的偏壓控制模塊

 美國M/A-COM Technology Solutions推出了用于GaN(氮化鎵)制RF晶體管的偏壓控制模塊“MABC-001000-DP000L”。其作用是向GaN制RF晶體管加載適當(dāng)?shù)墓潭艠O電壓，同時(shí)作為偏置用途供應(yīng)脈沖漏極電壓。新產(chǎn)品還配備了序列(Sequence)功能，可以在負(fù)偏壓沒有加載到柵極時(shí)，防止向漏極供應(yīng)脈沖電壓。除了GaN制RF晶體管以外，此次產(chǎn)品還可以用于GaAs制RF功率放大器以及HEMT(高電子遷移率晶體管)元件。

新產(chǎn)品的正電源電壓為+12～55V(標(biāo)稱值為+50V)，負(fù)電源電壓為-8～-2V(標(biāo)稱值為-6V)，相對(duì)于柵極的偏置輸出電流為50mA(標(biāo)稱值)，開漏輸出電流為200mA(最大值)，開關(guān)切換時(shí)間為500ns(最大值)，所有的輸入輸出(I/O)端子都帶有30dB(標(biāo)稱值)的EMI/RFI去除功能。模塊的封裝面積為6.60mm×22.48mm，工作溫度范圍為-40～+85℃，價(jià)格尚未公布。