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[導(dǎo)讀]據(jù)海外媒體報道,英特爾(Intel)日前宣布將推出10納米芯片,搭載該芯片的處理器預(yù)計2017年推出,此消息一出,也等于駁斥外界認為摩爾定律發(fā)展已放緩的說法。評論指出,雖然其他廠商也推出10納米技術(shù),但各家標(biāo)準(zhǔn)并未統(tǒng)一,而且英特爾在10納米技術(shù)仍維持數(shù)年的領(lǐng)先優(yōu)勢。

 據(jù)海外媒體報道,英特爾(Intel)日前宣布將推出10納米芯片,搭載該芯片的處理器預(yù)計2017年推出,此消息一出,也等于駁斥外界認為摩爾定律發(fā)展已放緩的說法。評論指出,雖然其他廠商也推出10納米技術(shù),但各家標(biāo)準(zhǔn)并未統(tǒng)一,而且英特爾在10納米技術(shù)仍維持數(shù)年的領(lǐng)先優(yōu)勢。

據(jù)IEEE Spectrum報導(dǎo),2017年英特爾將推出的新處理器采用該公司最新10納米芯片制程技術(shù)。該公司也指出,屆時采該制程生產(chǎn)的電晶體成本將比以往還低,代表摩爾定律精神不僅將延續(xù),也駁斥電晶體制造成本已來到最低的說法。

展望來年,英特爾并計劃在電晶體設(shè)計上繼續(xù)精進,而且首度讓自家制程技術(shù)最大化以便符合其他公司需求,可利用英特爾設(shè)備生產(chǎn)采安謀(ARM)架構(gòu)的芯片。

英特爾院士Mark Bohr指出,雖然目前芯片制程世代或節(jié)點名稱說法與芯片上的功能多有脫勾,但該公司10納米世代所能達到的密度,將比目前14納米芯片甚至其他業(yè)者的10納米產(chǎn)品還要高。

該公司日前也公布多項新世代制程數(shù)據(jù),包括負責(zé)開關(guān)的電晶體閘極長度以及閘極間距(gate pitch)都會更小,最小的閘極間距將由70納米變成54納米,執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)邏輯功能的邏輯單元尺寸也會比目前采用14納米技術(shù)的小46%。

Bohr也指出,這已是較往年更為大膽的微縮程度,也一反日前新芯片制程世代出現(xiàn)時間變慢的發(fā)展趨勢。

英特爾指出,即使生產(chǎn)10納米晶圓的成本會比14納米高,但每顆電晶體生產(chǎn)成本會較低,而且在切換速度與功耗上都可獲得提升。因此,Bohr表示,在尺寸與效率上改善后,將可望讓服務(wù)器芯片增加更多核心以及在GPU增加執(zhí)行單元。

過去英特爾每2年都會推出新的制程世代來升級電晶體,但在14納米,該公司推出被稱為半節(jié)點(deminode)世代,也就是在10納米之前只針對14納米做出改善,而且在10納米后,預(yù)計在進展至下一個7納米世代之前,也先推出2個半節(jié)點10nm+與10nm++。

目前三星電子(Samsung Electronics)與臺積電也在生產(chǎn)10納米芯片,2016年10月三星更宣布已率先量產(chǎn),采用該芯片的裝置預(yù)計在2017年初上市,GlobalFoundries則傾向在2018年開始一舉進入7納米。

對此,分析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的VLSI Research機構(gòu)執(zhí)行長Dan Hutcheson指出,目前各廠都在積極突破微縮的極限而且都取得進展,但彼此標(biāo)準(zhǔn)并未統(tǒng)一,若以10納米產(chǎn)品比較,英特爾在特征尺寸上仍有多年領(lǐng)先優(yōu)勢。

除此之外,Hutcheson也指出,英特爾透過控制與一致化其自家制程而與其他廠商有所區(qū)隔,也幫助其在發(fā)展代工服務(wù)上具備優(yōu)勢。至于為其他公司代工芯片也是英特爾新作法之一,而且具備生產(chǎn)ARM處理器的能力后,對該公司來說更是重要。

英特爾也表示,首款10納米芯片將優(yōu)先在其處理器上采用,2018年再向其他廠商開放。

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