閃存市場將發(fā)生巨變 3D NAND走上舞臺3D

 3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。在一個新的研究報告中指出，這項技術(shù)將會在今年成為閃存領(lǐng)域的卓越性技術(shù)。

DRAMeXchange最新的預(yù)測顯示，NAND閃存制造商們已經(jīng)將他們晶圓廠的焦點轉(zhuǎn)向了3D NAND，相比傳統(tǒng)的2D NAND來說，前者更加密集、快速而且生產(chǎn)成本更低。

根據(jù)DRAMeXchange的研究，緊隨著領(lǐng)先3D NAND生產(chǎn)商如三星和鎂光的腳步，大多數(shù)NAND供應(yīng)商將會在2017下半年開始大量生產(chǎn)64層3D NAND芯片。

今年早些時候，西數(shù)和其搭檔東芝共同推出了一個64層NAND產(chǎn)品，該產(chǎn)品的行業(yè)密集度為每個閃存單元存儲三位數(shù)據(jù)。

3D NAND閃存芯片基于垂直疊加或3D技術(shù)，西數(shù)和東芝稱之為BiCS(Bit Cost Scaling)。西數(shù)目前已經(jīng)發(fā)布了基于64層NAND閃存技術(shù)的第一款512Gb 3D NAND芯片試點產(chǎn)品。

報告中指出，西數(shù)的64層產(chǎn)品樣本將會在五月底推出，而大規(guī)模產(chǎn)品將最早會在今年下半年推出。

對于企業(yè)來說，3D NAND產(chǎn)品的增長將意味著會有更便宜的非易失性存儲，可以應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和工作站中。

DRAMeXchange表明，即便有了3D NAND的增長，但NAND閃存的供應(yīng)預(yù)計仍然會保持緊張，由于蘋果正在為發(fā)布下一代iPhone備貨中，其組件以及SSD的需求仍保持穩(wěn)定。

DRAMeXchange還指出，3D NAND如今構(gòu)成了三星和鎂光各自一半以上的NAND閃存輸出量。SK Hynix同樣準(zhǔn)備發(fā)布72層NAND芯片。為了成為行業(yè)領(lǐng)先的廠商，SK Hynix將會在下半年開始大量生產(chǎn)72層芯片。

三星仍然是3D NAND技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)跑者，DRAMeXchange表示。該公司的48層芯片被廣泛地應(yīng)用在企業(yè)級和消費級SSD中，包括移動NAND產(chǎn)品。

鎂光在三星之后，是第二大的3D NAND供應(yīng)商，同樣在其總NAND閃存輸出量中占有50%以上的技術(shù)賬單。鎂光目前的主要收益來自于主要存儲模塊制造商對32層芯片的需求，而且其自身品牌的SSD發(fā)貨量也很可觀。