美國研發(fā)人員在石墨烯電子器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

 美國北卡羅來納州立大學(xué)的研究人員開發(fā)了一種將帶正電荷(p型)的還原氧化石墨烯(rGO)轉(zhuǎn)化為帶負(fù)電荷(n型)還原氧化石墨烯的技術(shù)，該技術(shù)可用于開發(fā)基于還原氧化石墨烯的晶體管，有望在電子設(shè)備中得到應(yīng)用。

石墨烯的導(dǎo)電性非常好但不是半導(dǎo)體，氧化石墨烯像半導(dǎo)體具有帶隙卻導(dǎo)電性差，而還原氧化石墨烯只帶正電荷(p型)，可解決這一問題。北卡羅來納州立大學(xué)材料科學(xué)與工程系的研究團(tuán)隊發(fā)明了利用p型rGO制備n型rGO的方法。首先，他們將rGO集成到藍(lán)寶石和硅晶片上，然后使用大功率激光脈沖來周期地沖擊晶片上的化學(xué)基團(tuán)。這種沖擊可有效將電子轉(zhuǎn)移，使p型rGO轉(zhuǎn)化為n型rGO。整個過程在室溫和常壓下進(jìn)行，完成時間小于1/5微秒。這種激光輻射退火方法提供了高度的空間和深度控制，使開發(fā)基于p-n結(jié)的二維石墨烯電子器件成為可能。

這一成果發(fā)表于美國物理聯(lián)合會(AIP)《應(yīng)用物理》期刊網(wǎng)站上。