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[導(dǎo)讀]近日,中科院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所宋航研究員主持的重點(diǎn)項(xiàng)目“室溫工作的高In組分短波InGaAs線列探測(cè)器材料與器件研究” 通過(guò)項(xiàng)目結(jié)題驗(yàn)收。專家組由來(lái)自我國(guó)材料科學(xué)界知名專家組成,基金委領(lǐng)導(dǎo)和工程與材料

近日,中科院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所宋航研究員主持的重點(diǎn)項(xiàng)目“室溫工作的高In組分短波InGaAs線列探測(cè)器材料與器件研究” 通過(guò)項(xiàng)目結(jié)題驗(yàn)收。專家組由來(lái)自我國(guó)材料科學(xué)界知名專家組成,基金委領(lǐng)導(dǎo)和工程與材料科學(xué)部領(lǐng)導(dǎo)參加了重點(diǎn)項(xiàng)目結(jié)題驗(yàn)收會(huì),這些專家由國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)工程與材料科學(xué)部組織。

本項(xiàng)目歷時(shí)四年的努力,主要針對(duì)高In組分InGaAs紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)材料的MOCVD生長(zhǎng)、晶格失配缺陷的抑制、紅外探測(cè)器材料與器件工藝的優(yōu)化、探測(cè)器線列焦平面的研制與集成等方面開展了深入系統(tǒng)的研究。提出兩步生長(zhǎng)法并引入熱退火過(guò)程抑制大晶格失配InGaAs材料的制備方法;成功獲得大尺寸、高質(zhì)量InGaAs紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)材料;成功獲得了256×1的延長(zhǎng)波長(zhǎng)InGaAs線列焦平面探測(cè)器。四年中,項(xiàng)目組在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)期刊和學(xué)術(shù)會(huì)議上發(fā)表論文50篇,申請(qǐng)發(fā)明專利5項(xiàng),授權(quán)發(fā)明專利2項(xiàng)。高In組分InGaAs紅外光電探測(cè)器在國(guó)民經(jīng)濟(jì)建設(shè)和航空航天領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。該項(xiàng)目的驗(yàn)收成功對(duì)我國(guó)航空航天領(lǐng)域發(fā)展具有深遠(yuǎn)影響和意義。

(結(jié)題驗(yàn)收會(huì)現(xiàn)場(chǎng))

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