下一代CoolMOS MOSFET（英飛凌）

英飛凌科技股份公司推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）600V CoolMOS™ C6系列。有了600V CoolMOS™ C6系列器件，諸如PFC（功率因數(shù)校正）級或PWM（脈寬調(diào)制）級等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技術(shù)融合了現(xiàn)代超結(jié)結(jié)構(gòu)及包括超低單位面積導(dǎo)通電阻（例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐）在內(nèi)的補償器件的優(yōu)勢，同時具有更低的電容開關(guān)損耗、更簡單的開關(guān)特性控制特性和更結(jié)實耐用的增強型體二極管。

C6系列是英飛凌推出的第五代CoolMOS™金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。英飛凌在CoolMOS™ C3和CoolMOS™ CP等前代系列產(chǎn)品的基礎(chǔ)上，進一步提高了開關(guān)速度并降低了導(dǎo)通電阻。CoolMOS™ C3是一個應(yīng)用非常廣泛的產(chǎn)品系列，而CP系列可滿足需要最高開關(guān)速度和最低導(dǎo)通電阻的各種專門應(yīng)用的需求。

最新推出的600V CoolMOS™ C6器件，融合了CoolMOS™ C3和CoolMOS™ CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢。例如，電源廠商可受益于超結(jié)CP系列的優(yōu)勢——包括極低電容損耗和極低單位面積導(dǎo)通電阻等，設(shè)計出更高效、更緊湊、更輕更涼的電源產(chǎn)品。與此同時，開關(guān)控制性能和抗電路板寄生電感和電容特性性能也得到大幅提升。相對于CP系列的設(shè)計而言，CoolMOS™ C6簡化了PCB系統(tǒng)布局。具體而言，這意味著在CoolMOS™ C6系列內(nèi)，柵極電荷、電壓/電流斜率和內(nèi)部柵極電阻達到了優(yōu)化和諧狀態(tài)，即使低至零歐姆的柵極電阻，也不會產(chǎn)生過高的電壓或電流斜率。此外，C6器件具備出色的體二極管硬換流抗受能力，因此可避免使用昂貴的快速體二極管組件。

英飛凌認(rèn)為，前代產(chǎn)品CoolMOS™ C3的易用性和高能效特性，加上更高的輕載效率，將使CoolMOS™ C6系列成為硬開關(guān)應(yīng)用的基準(zhǔn)。另一方面，存儲在輸出電容中的極低電能和出類拔萃的硬換流耐受性，使該器件成為諧振開關(guān)產(chǎn)品的理想選擇。

CoolMOS™ C6器件可降低設(shè)計難度，非常適用于各種高能效應(yīng)用，例如面向個人電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本或手機、照明（高壓氣體放電燈）產(chǎn)品以及電視機（液晶或等離子電視機）和游戲機等消費電子產(chǎn)品的電源或適配器。英飛凌的新一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，能夠讓客戶開發(fā)出符合當(dāng)今能效要求和政府法規(guī)的高度可靠的終端產(chǎn)品。

英飛凌科技股份公司副總裁兼工業(yè)及多元化電子市場業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Andreas Ur-schitz指出：“全新推出的CoolMOS™ C6系列彰顯了英飛凌在不犧牲系統(tǒng)設(shè)計簡易性的同時進一步提升諸多應(yīng)用的能源效率的戰(zhàn)略。依托立足于系統(tǒng)優(yōu)化創(chuàng)新技術(shù)、具備更高能效和可靠性的CoolMOS™ C6系列功率半導(dǎo)體器件，英飛凌鞏固了自己在電源管理市場的領(lǐng)導(dǎo)地位?！?br /> 

供貨情況與定價
英飛凌全新推出的CoolMOS C6系列包含電壓級別為600V、導(dǎo)通電阻從70mΩ直到3.3Ω的多種型號。目前，采用TO220全絕緣型封裝、電壓級別和導(dǎo)通電阻分別為600V和190mΩ的IPA60R190C6已開始提供樣品。該系列的首批產(chǎn)品將在2009年8月實現(xiàn)量產(chǎn)。

訂購量達到10,000顆的情況下，IPA60R190C6（600V CoolMOS™ C6、導(dǎo)通電阻190mΩ、TO220全絕緣封裝）的單價為0.88美元；IPD60R950C6（600V Cool-MOS™ C6、導(dǎo)通電阻950mΩ、Dpak封裝）的單價為0.30美元。