2GHz 802.11bgn WLAN 功率放大器SE2576L (SiGe)

SiGe 半導(dǎo)體公司 (SiGe Semiconductor) 現(xiàn)已推出 2GHz 無線 LAN 功率放大器 (PA) 模塊。型號(hào)為 SE2576L 的全新 IEEE802.11bgn 器件，是業(yè)界尺寸最小且效率最高的功率放大器，發(fā)射功率為26dBm。SE2576L 瞄準(zhǔn)需要大射頻 (RF) 發(fā)射功率的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，如家庭影院或數(shù)據(jù)傳輸、企業(yè)和室外網(wǎng)絡(luò)，以及公共上網(wǎng)熱點(diǎn)，能夠提供完整的覆蓋范圍和更高的鏈路預(yù)算，實(shí)現(xiàn)更快速、更高效的數(shù)據(jù)傳輸。

SiGe 半導(dǎo)體 亞太區(qū)市場(chǎng)推廣總監(jiān)高國洪表示：“SE2576L的設(shè)計(jì)焦點(diǎn)是易于使用和提供最大靈活性。這款 PA 模塊可讓客戶降低開發(fā)、驗(yàn)證和認(rèn)證成本。最重要的是，它可將 WiFi 功能性集成在各種尚未具備網(wǎng)絡(luò)功能的產(chǎn)品中，幫助客戶縮短產(chǎn)品上市的時(shí)間?！?/p>

大功率 WLAN 連接性面對(duì)的挑戰(zhàn)是 RF PA。當(dāng) PA 在較高 RF 功率級(jí)下工作一段時(shí)間后，PA 本身的溫度往往會(huì)升高。隨著 PA 溫度的上升，它保持所需 RF 功率級(jí)的能力便會(huì)下降，這又促使 PA 控制環(huán)路提高 RF 功率，從而導(dǎo)致 PA 工作溫度進(jìn)一步上升。PA 溫度上升除了會(huì)降低 RF 功率之外，還會(huì)減低線性度性能，最終破壞傳輸數(shù)據(jù)，并在 WiFi 頻率信道附近產(chǎn)生干擾。

SE2576L 采用硅鍺工藝制造，該技術(shù)與標(biāo)準(zhǔn)硅工藝基本相同，熱導(dǎo)性卻是砷化鎵 (GaAs) 器件的三倍。SE2576L 集成了輸入匹配電路和外部輸出匹配電路，可以針對(duì)5V、26dBm 的工作條件調(diào)節(jié)負(fù)載線，從而幫助 SiGe 半導(dǎo)體的客戶簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、加快上市速度，并提高產(chǎn)品良率。

SE2576L內(nèi)置有采用溫度補(bǔ)償?shù)膶?duì)負(fù)載不敏感的功率檢測(cè)器，動(dòng)態(tài)范圍為20dB，在天線端3:1失配條件下，變化小于1.2dB。SE2576L綜合了功率檢測(cè)器功能和硅鍺技術(shù)固有散熱優(yōu)勢(shì)，可在極端溫度下保持穩(wěn)定的性能，適合需要特別注意自身變熱問題的大功率應(yīng)用。新型WLAN PA還帶有數(shù)字激活控制功能，并集成了一個(gè)參考電壓發(fā)生器，其典型功率斜坡上升/下降時(shí)間為0.5 μs。

SE2576L 的占位面積和應(yīng)用板設(shè)計(jì)與 SiGe 半導(dǎo)體 2GHz 大功率 WLAN PA 系列中的其它器件相同，使得終端用戶可以共享通用電路板設(shè)計(jì)，并為每款產(chǎn)品選擇最佳的 PA。

高國洪總結(jié)稱：“SiGe 半導(dǎo)體的 SE2576L 為客戶提供了滿足業(yè)界對(duì)高集成度、小占位面積 2GHz PA 模塊之需求的解決方案，這些器件能夠輕易集成進(jìn)各種消費(fèi)電子應(yīng)用中，以提供WiFi功能?！?/p>

SE2576L采用符合RoHS指令的無鹵素、小引腳、16腳3mm x 3mm x 0.9mm QFN封裝。這種低側(cè)高封裝非常易于集成進(jìn)WLAN模塊中。

SiGe半導(dǎo)體現(xiàn)可提供SE2576L器件，訂購1萬片的價(jià)格為每片0.80美元。隨同產(chǎn)品提供大量有關(guān)PA使用和實(shí)施的應(yīng)用文檔，包括如何利用電路板并通過版圖設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)熱分布最大化；如何設(shè)計(jì)包含SiGe半導(dǎo)體所有尺寸兼容2GHz大功率PA系列產(chǎn)品的電路板，以及如何實(shí)現(xiàn)PA輸出阻抗匹配以盡量提高SE2576L性能等的建議。