[導讀]21ic訊 TDK公司擴展了旗下愛普科斯(EPCOS) 緩沖薄膜電容器產品系列，現(xiàn)可提供具有17種不同的端子配置的產品，以保護市面上更多的IGBT模塊不受電壓峰值損壞。MKP B32656S*至B32658S*系列緩沖電容器具有超高的脈沖強度
21ic訊 TDK公司擴展了旗下愛普科斯(EPCOS) 緩沖薄膜電容器產品系列，現(xiàn)可提供具有17種不同的端子配置的產品，以保護市面上更多的IGBT模塊不受電壓峰值損壞。
MKP B32656S*至B32658S*系列緩沖電容器具有超高的脈沖強度和觸點可靠性，同時具有極低的ESL值;電壓范圍為850V DC至2000V DC，電容值范圍為68 nF至5.6 µF;共有17種鍍錫銅端子配置可選，孔距為19.5至63 mm。所有系列的電容器工作溫度最高可達+110 °C。
術語IGBT：IGBT指絕緣柵雙極型晶體管，是一種半導體元件，主要應用于變頻器中的電力開關
主要應用保護變頻器中的IGBT模塊不受電壓峰值損壞
主要特點與優(yōu)勢共17中端子配置可選
高脈沖強度，工作電壓高達2000 V DC
高電容值，最高可達5.6 µF
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