ROHM產(chǎn)品陣容新增高效MOS智能功率模塊 有助于節(jié)能型家電和工業(yè)設(shè)備實現(xiàn)更低功耗
21ic訊 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出滿足家電產(chǎn)品和工業(yè)設(shè)備等的小容量電機低功耗化需求的高效MOS-IPM(Intelligent Power Module)“BM65364S-VA/-VC(額定電流15A、耐壓600V)”,產(chǎn)品陣容更加豐富。
此次開發(fā)的產(chǎn)品搭載了ROHM生產(chǎn)的低導(dǎo)通電阻MOSFET“PrestoMOSTM※ ”,而且還利用了ROHM獨有的LSI控制技術(shù),使在低電流范圍的損耗比以往的IGBT-IPM降低約43%。通過實現(xiàn)業(yè)界頂級的低功耗化,不僅有助于應(yīng)用實現(xiàn)進一步節(jié)能化,還能通過IPM產(chǎn)品的解決方案降低設(shè)計負(fù)擔(dān)。
本產(chǎn)品已經(jīng)開始出售樣品,預(yù)計于2015年8月份開始以月產(chǎn)3萬片的規(guī)模投入量產(chǎn)。前期工序的生產(chǎn)基地為ROHM濱松株式會社(靜岡縣)、ROHM Apollo Co., Ltd.(福岡縣)、ROHM Wako Co., Ltd.(岡山縣),后期工序的生產(chǎn)基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國)。
※PrestoMOSTM是ROHM的注冊商標(biāo)。
<背景>
近年來,節(jié)能化趨勢日益加速,在這個大背景下,隨著日本節(jié)能法的修訂,家電產(chǎn)品傾向于采用更接近實際使用情況的能效標(biāo)識APF(Annual Performance Factor),不再僅僅關(guān)注功率負(fù)載較大的設(shè)備啟動時和額定條件下的節(jié)能,要求負(fù)載較小的正常運轉(zhuǎn)時更節(jié)能的趨勢日益高漲。
而為了減輕這種節(jié)能家電的設(shè)計負(fù)擔(dān),較標(biāo)準(zhǔn)的做法是采用將建構(gòu)系統(tǒng)所需的功率元器件和控制IC等集成于單芯片化的IPM。
<新產(chǎn)品詳情>
此次ROHM通過采用以往的MOSFET很難實現(xiàn)的可支持更大電流的自產(chǎn)PrestoMOSTM,大大降低導(dǎo)通損耗,實現(xiàn)了IPM的產(chǎn)品化。不僅如此,還通過融合ROHM獨家擁有的柵極驅(qū)動器電路技術(shù),使在低電流范圍的損耗相比IGBT-IPM降低約43%。業(yè)界頂級的低功耗,非常有助于應(yīng)用整體實現(xiàn)進一步節(jié)能。
另外,還通過ROHM獨有的電路與封裝技術(shù),確立了構(gòu)建變頻器所需的各種元器件的綜合可靠性,實現(xiàn)IPM化,還有助于減輕系統(tǒng)的設(shè)計負(fù)擔(dān)。
因為所搭載的芯片全部為ROHM的生產(chǎn),因此不僅可以提供高品質(zhì)的產(chǎn)品,還沒有供貨方面的擔(dān)憂,客戶可安心使用。
<特點>
1.采用可支持大電流的PrestoMOSTM,實現(xiàn)節(jié)能
現(xiàn)在,以家庭內(nèi)功耗比率較高的空調(diào)變頻器為首,需要支持大電流的設(shè)備中一般都會使用IGBT-IPM,但旨在使設(shè)備實現(xiàn)更高效率的努力從未停止。
一般MOSFET具有在高速開關(guān)條件下和低電流范圍內(nèi)的導(dǎo)通損耗較低的優(yōu)勢,具有降低設(shè)備正常運轉(zhuǎn)時的功耗的效果。通過開發(fā)出可支持大電流的MOS-IPM,可使設(shè)備正常運轉(zhuǎn)時更加節(jié)能。
2.通過搭載使用了ROHM獨有的電路技術(shù)的柵極
驅(qū)動器LSI,實現(xiàn)高效化
采用PrestoMOSTM,并利用ROHM獨創(chuàng)的柵極驅(qū)動器電路技術(shù),通過導(dǎo)入ROHM獨有的柵極驅(qū)動電路,實現(xiàn)了IPM產(chǎn)品進一步的高效化。例如,通過導(dǎo)入防止高電壓條件下高速開關(guān)動作容易產(chǎn)生的MOSFET誤動作的電路,實現(xiàn)高速開關(guān)動作,并且可以降低開關(guān)損耗。而且,考慮到開關(guān)時產(chǎn)生的噪音,還優(yōu)化了開關(guān)損耗和噪音的平衡關(guān)系,使可最大限度充分發(fā)揮PrestoMOSTM性能的柵極驅(qū)動成為現(xiàn)實。
3.通過 IPM化,減輕高效系統(tǒng)的設(shè)計負(fù)擔(dān)
采用ROHM獨創(chuàng)的高散熱封裝技術(shù)將構(gòu)建變頻器系統(tǒng)所需的柵極驅(qū)動器和組成變頻器部分的MOSFET一體化封裝。
另外,本產(chǎn)品在優(yōu)化了功率元器件驅(qū)動的同時,為使客戶安心使用,還搭載了各種重要的保護功能,從而可減輕客戶的設(shè)計負(fù)擔(dān)。
<術(shù)語解說>
・IPM(Intelligent Power Module)
將功率元器件以及具有控制它們的功能的元器件(IC等)模塊化的產(chǎn)品。
・PrestoMOSTM
低導(dǎo)通電阻、低Qg、實現(xiàn)內(nèi)部二極管的高速trr的ROHM生產(chǎn)的 MOSFET系列產(chǎn)品之一。
・IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistors)
與MOSFET一樣,是通過向柵極施加電壓進行控制的元器件,也是利用雙極晶體管的高耐壓、低導(dǎo)通電阻特點的元器件。
・APF(Annual Performance Factor)
全年使用家用空調(diào)時的能效比。數(shù)值越大節(jié)能性能越好。