美高森美提供下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢(shì)壘二極管器件

21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)和相應(yīng)的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國(guó)紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號(hào)展廳318展臺(tái)展示這些SiC解決方案以及SiC SBD/MOSFET產(chǎn)品系列中的其它最新器件。

美高森美繼續(xù)擴(kuò)大其SiC產(chǎn)品系列的開發(fā)工作，已經(jīng)成為向市場(chǎng)提供一系列Si / SiC功率分立和模塊解決方案的少數(shù)供應(yīng)商之一。這些新一代SiC MOSFET器件非常適合工業(yè)和汽車市場(chǎng)中的多種應(yīng)用，包括混合動(dòng)力車(HEV)/電動(dòng)車(EV)充電、插電/感應(yīng)式車載充電器(OBC)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車動(dòng)力系統(tǒng)/牽引控制。它們也可用于醫(yī)療、航天、國(guó)防和 數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中的開關(guān)模式電源、光伏(PV)逆變器和電機(jī)控制。

美高森美副總裁兼功率分立器件和模塊業(yè)務(wù)部門經(jīng)理Leon Gross表示：“對(duì)于電動(dòng)車充電、DC-DC轉(zhuǎn)換器、動(dòng)力系統(tǒng)、醫(yī)療和工業(yè)設(shè)備以及航空驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用，若要SiC解決方案快速獲得采用，這些系統(tǒng)中使用的元器件必須具有較高效率、安全性和可靠性水平。美高森美的下一代SiC MOSFET和SiC二極管系列將會(huì)通過(guò)AEC-Q101資質(zhì)認(rèn)證以確保高可靠性水平，而且其高重復(fù)性無(wú)箝制感應(yīng)開關(guān)(UIS)能力在額定電流下不會(huì)出現(xiàn)退化或失效，可見其穩(wěn)健性。”

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Technavio指出，面向全球半導(dǎo)體應(yīng)用的SiC市場(chǎng)預(yù)計(jì)在2021年前達(dá)到大約5.405億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)超過(guò)18%。該公司還預(yù)測(cè)2021年前全球汽車半導(dǎo)體應(yīng)用SiC器件市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到20%左右。美高森美在這些發(fā)展趨勢(shì)中處于有利地位，其SiC MOSFET和肖特基勢(shì)壘二極管器件具有高短路耐受能力的額定雪崩性能，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)健工作，并具有充足功能來(lái)滿足這些不斷增長(zhǎng)的應(yīng)用趨勢(shì)。

與競(jìng)爭(zhēng)Si/SiC二極管/MOSFET和IGBT解決方案相比，美高森美下一代1200 V、25/40/80 mOhm SiC MOSFET器件和裸片，以及下一代1200 V和700 V SiC SBD器件均具有對(duì)客戶極具吸引力的巨大優(yōu)勢(shì)，包括可在更高的開關(guān)頻率下實(shí)現(xiàn)更高效的開關(guān)運(yùn)作，以及更高的雪崩/UIS額定值和更高的短路耐受額定值，從而實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健可靠的運(yùn)作。例如，SiC MOSFET器件的開發(fā)重點(diǎn)是平衡特定導(dǎo)通電阻、低柵極電阻和熱阻，以及低柵極閾值電壓和電容，從而實(shí)現(xiàn)可靠的工作。這些器件針對(duì)高良率工藝和低溫度范圍參數(shù)變化而設(shè)計(jì)，在高結(jié)溫(175°C)下以更高的效率(相比Si和IGBT解決方案) 工作，能夠擴(kuò)展HEV/EV及其它應(yīng)用中的電池系統(tǒng)。

這些新器件樣品正在進(jìn)行AEC-Q101認(rèn)證，并已通過(guò)了其中的高溫反向偏壓(HTRB)和時(shí)間依賴性介質(zhì)擊穿(TBBD)測(cè)試，證明可提供出色的柵極完整性和高柵極良率。其它主要特性包括：

·比競(jìng)爭(zhēng)SiC MOSFET和GaN器件高出1.5倍至2倍的出色UIS能力，實(shí)現(xiàn)雪崩穩(wěn)健性;

·比競(jìng)爭(zhēng)SiC MOSFET器件高出1.5倍至5倍的高短路額定性能，實(shí)現(xiàn)更穩(wěn)健的工作;

·針對(duì)中子敏感性，在額定電壓下的失效時(shí)間(FIT)較同類Si IGBT器件降低10倍;性能與中子輻照有關(guān)的SiC競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相當(dāng);以及

·與Si器件相比，SiC器件具有更高的功率密度，充許尺寸更小的磁性元件/變壓器/直流母線電容器和更少的散熱元件，從而實(shí)現(xiàn)更緊湊的外形尺寸，降低整體系統(tǒng)成本。

6月5日至7日在PCIM展會(huì)6號(hào)展廳318展臺(tái)進(jìn)行演示

美高森美產(chǎn)品專家將在PCIM展會(huì)期間于公司展臺(tái)上展示其下一代SiC解決方案，重點(diǎn)展品包括最近推出的新一代1200 V、40 mOhm SiC MOSFET器件和1200V、10/30/50A SiC二極管產(chǎn)品。

產(chǎn)品供貨

美高森美現(xiàn)在提供下一代1200 V SiC MOSFET器件和裸片以及下一代1200 V和700 V SiC SBD器件樣品。