英飛凌將在 PCIM Asia 2018 展示面向整個電能供應(yīng)鏈的前沿技術(shù)和解決方案

21IC訊 英飛凌科技(中國)有限公司(以下簡稱英飛凌)將于6月26 - 28日參加在上海世博展覽館舉辦的 PCIM Asia上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。英飛凌將在2號館的F 01展臺，展示涵蓋整個電能供應(yīng)鏈的領(lǐng)先產(chǎn)品和全套系統(tǒng)及應(yīng)用解決方案。此外，英飛凌的技術(shù)專家還將就產(chǎn)品和應(yīng)用發(fā)表多篇論文，并在同期的國際研討會上進(jìn)行交流。

從前沿的硅基 MOSFET 和 IGBT 到數(shù)字化功率創(chuàng)新，以及最新的碳化硅和氮化鎵技術(shù)，英飛凌芯片對于提高發(fā)電、輸電和用電效率起著至關(guān)重要的作用。此次，英飛凌將圍繞“賦能世界，無盡能源”(Empowering A World Of Unlimited Energy)為主題，重點(diǎn)展示以下產(chǎn)品：

·1200V TRENCHSTOP™ IGBT7

1200V TRENCHSTOP™ IGBT7基于最新微溝槽技術(shù)，可大幅降低損耗，并提供高度可控性。該芯片專門針對工業(yè)驅(qū)動器應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化，可大幅降低靜態(tài)損耗，提高功率密度，與EmCon7 1200V 二極管技術(shù)構(gòu)成IGBT開關(guān)，開關(guān)更為柔和。另外，通過將功率模塊中允許過載的最高工作溫度提高至 175℃，可顯著提高功率密度。

·CoolSiC™ MOSFET —— 一場值得信賴的技術(shù)革命

CoolSiC™ MOSFET 1200V 是將系統(tǒng)設(shè)計帶到全新效率和功率密度水平的前沿解決方案。采用溝槽柵技術(shù)的碳化硅MOSFET技術(shù)，英飛凌分別在 62mm 和EASY2B封裝中實現(xiàn)了 3 毫歐姆和6毫歐姆的半橋模塊，代表業(yè)內(nèi)的領(lǐng)先水平。通過結(jié)合最佳可靠性、安全性和易用性，CoolSiC™ MOSFET 是光伏逆變器、UPS 、電動汽車充電和工業(yè)驅(qū)動應(yīng)用的最佳解決方案。

面向中國的光伏客戶和應(yīng)用，英飛凌開發(fā)了定制化產(chǎn)品，如三電平模塊提高了組串型逆變器的單機(jī)的功率極限，碳化硅 MOSFET 在模塊中的應(yīng)用，大大提高了效率和功率密度。

·MIPAQ™ -Pro —— 一個真正意義上的智能IGBT模塊

MIPAQ™ Pro 是一款集成 IGBT、驅(qū)動、散熱器、傳感器、數(shù)字控制以及通訊總線的大功率智能功率模塊(IPM)。通過對諸如芯片工作結(jié)溫、輸出電流、直流電壓等關(guān)鍵參數(shù)的實時監(jiān)控，進(jìn)行故障預(yù)警和保護(hù)，從而實現(xiàn)了強(qiáng)大的智能保護(hù)功能。在減少設(shè)計冗余，實現(xiàn)功率輸出最大化的同時，確保 IPM 可以在設(shè)定的極限范圍內(nèi)安全穩(wěn)定工作，在設(shè)備出現(xiàn)故障隱患時，及時發(fā)現(xiàn)并有效預(yù)防，大大提高了設(shè)備的現(xiàn)場有效運(yùn)行時間。

·TRENCHSTOP™ Feature IGBT —— 帶多重保護(hù)和集成多種應(yīng)用電路功能的IGBT

為了提高 IGBT 使用的可靠性，越來越來的用戶更傾向于 IGBT 本身自帶多重保護(hù)或者集成多種應(yīng)用電路功能，如過壓保護(hù)、過流保護(hù)、過溫保護(hù)、有源鉗位、故障報警等。因此，英飛凌即將推出全新的多功能 IGBT——TRENCHSTOP™ Feature IGBT。該系列 IGBT 包含多種組合，即根據(jù)不同應(yīng)用的設(shè)計需求，集成不同保護(hù)或者其它功能，為用戶提供一種設(shè)計簡單但安全可靠的方案。

·Infineon® Eco Block壓接式模塊

英飛凌在2017年完善了全系列高性價比焊接式20mm、34mm和50mm雙極器件模塊后，2018年即將推出高性價比壓接式Eco Block系列，用于擴(kuò)展現(xiàn)有的經(jīng)典PowerBLOCK壓接技術(shù)產(chǎn)品線。該模塊的典型應(yīng)用包括不間斷電源和變頻器市場，包括60mm晶閘管/晶閘管TT、晶閘管/二極管TD和 二極管/二極管DD模塊，以及70mm晶閘管模塊。其阻斷電壓為1600/2200V，電流范圍是420A到 1200A。新系列產(chǎn)品保留了PowerBLOCK模塊的重要特性功能，擁有壓接技術(shù)特有的短路導(dǎo)通特性、并同時擁有高性價比。系出名門，秉承了英飛凌一貫的“可持續(xù)、環(huán)境友好”設(shè)計。

·IGBT 系統(tǒng)解決方案和應(yīng)用解決方案

IGBT 應(yīng)用解決方案包括 IGBT 和碳化硅器件驅(qū)動方案和各種設(shè)計評估板。IGBT 系統(tǒng)解決方案包括逆變焊機(jī)、電動汽車充電、兆瓦級 1500V 光伏逆變器和主要應(yīng)用于電力機(jī)車和高速列車的牽引和輔助變流器，柔性高壓直流輸電等XHP™3 并聯(lián)方案。

·最新一代1200V IGBT6 單管IGBT

1200V IGBT6單管比上一代1200V單管IGBT，進(jìn)一步降低了導(dǎo)通壓降和開關(guān)損耗，首批推出5個型號有兩種芯片技術(shù) S6和H6，兩種封裝形式，TO247_Plus和TO247_Plus 4Pin。可以說這一代IGBT6的推出，不僅是在上一代1200V單管IGBT的基礎(chǔ)上芯片技術(shù)的升級，還擴(kuò)展了電流輸出能力，對于系統(tǒng)設(shè)計，可以減少并聯(lián)個數(shù)，大大提升系統(tǒng)可靠性?？梢詮V泛應(yīng)用于光伏，UPS，焊機(jī)，變頻器等領(lǐng)域。

·TRENCHSTOPTM5芯片在D2PAK封裝中的產(chǎn)品

TRENCHSTOPTM5是英飛凌最新一代650V IGBT芯片系列，在市場上廣受歡迎，以前單管只有TO-247封裝，英飛凌于近日推出了TRENCHSTOP5芯片封裝在D2PAK的貼片型封裝中的系列產(chǎn)品。相比于TO-247封裝，D2PAK封裝由于管腳短，雜散電感小了很多，可以以更低開關(guān)損耗工作于更高的開關(guān)頻率。同時，D2PAK封裝的結(jié)對殼的熱阻并沒有升高，又可以直接在IMS上進(jìn)行貼片焊接，整個散熱效果要比傳統(tǒng)的TO-247封裝散熱效果要更好。這樣一來同樣大小的芯片，D2PAK封裝能比TO-247封裝輸出更大的電流，對提升系統(tǒng)效率和功率密度，有很大的幫助。

·DDPAK，創(chuàng)新正面散熱SMD封裝滿足大功率SMPS市場需求

得益于集成式4引腳開爾文源配置，可降低寄生源電感，減輕振蕩傾向。采用正面散熱SMD封裝的CoolMOS™和CoolSiC™可在電路板與MOSFET之間實現(xiàn)更大溫差及延長系統(tǒng)使用壽命。

PCIM Asia 是 PCIM Europe 在亞洲地區(qū)的姐妹展，迄今已成功舉辦過 16 屆，專注于電力電子技術(shù)，以及該領(lǐng)域技術(shù)在國家電網(wǎng)、工業(yè)、軌道交通、智能運(yùn)動及電動車等方面的應(yīng)用。