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[導(dǎo)讀]新思科技(Synopsys, Inc.)今日宣布與IBM攜手,將設(shè)計(jì)與工藝聯(lián)合優(yōu)化 (DTCO,Design Technology Co-Optimization) 應(yīng)用于針對(duì)后FinFET工藝的新一代半導(dǎo)體工藝技術(shù)。

重點(diǎn):

·采用新思科技Sentaurus、Process Explorer、StarRC、SiliconSmart、PrimeTime和IC Compiler II,DTCO方法學(xué)降低了先進(jìn)半導(dǎo)體工藝開(kāi)發(fā)的成本,并加快了上市速度。

·新思科技的精確材料、光刻、工藝和器件TCAD仿真器在晶圓生產(chǎn)出來(lái)之前即可對(duì)工藝選項(xiàng)進(jìn)行評(píng)估。

·并行開(kāi)展的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)開(kāi)發(fā)與使用IC Compiler II的模塊級(jí)設(shè)計(jì)評(píng)估,使設(shè)計(jì)級(jí)指標(biāo)得以用于材料、晶體管架構(gòu)和工藝選項(xiàng)的選擇,以滿足功耗、性能、面積和成本 (PPAC) 的目標(biāo)需求。

新思科技(Synopsys, Inc.)今日宣布與IBM攜手,將設(shè)計(jì)與工藝聯(lián)合優(yōu)化 (DTCO,Design Technology Co-Optimization) 應(yīng)用于針對(duì)后FinFET工藝的新一代半導(dǎo)體工藝技術(shù)。DTCO通過(guò)采用設(shè)計(jì)指標(biāo),在晶圓生產(chǎn)之前的早期探路階段就能夠有效評(píng)估并縮小范圍選擇出新的晶體管架構(gòu)、材料和其他工藝技術(shù)創(chuàng)新。本次合作將當(dāng)前新思科技DTCO工具流程擴(kuò)展到新的晶體管架構(gòu)和其他技術(shù)選項(xiàng)中,幫助IBM為其合作伙伴開(kāi)發(fā)早期工藝設(shè)計(jì)套件 (PDK),讓他們能夠評(píng)估確定IBM先進(jìn)節(jié)點(diǎn)帶來(lái)的功耗、性能、面積和成本 (PPAC) 優(yōu)勢(shì)。

IBM研究院半導(dǎo)體研究副總裁Mukesh Khare博士表示,“要在7nm以下的工藝節(jié)點(diǎn)實(shí)現(xiàn)最佳的生產(chǎn)能力、功耗、性能、面積和成本優(yōu)勢(shì),就必須探索新的材料和晶體管架構(gòu)。半導(dǎo)體制造廠面臨的主要挑戰(zhàn)是在考慮所有可能的選擇時(shí)如何及時(shí)收斂到最佳的晶體管架構(gòu)。與新思科技在DTCO方面的合作讓我們能夠根據(jù)從典型構(gòu)件(如CPU內(nèi)核)中提取的指標(biāo)有效地選擇最佳的晶體管架構(gòu)和工藝選項(xiàng),從而以更低的成本實(shí)現(xiàn)更快的工藝開(kāi)發(fā)。”

在此次合作中,IBM和新思科技正在開(kāi)發(fā)和驗(yàn)證采用Proteus™掩模綜合的光刻解析度增強(qiáng)技術(shù),使用QuantumATK進(jìn)行新材料建模,使用Sentaurus™TCAD和Process Explorer優(yōu)化新的晶體管架構(gòu),并使用Mystic提取緊湊模型。從這些工藝創(chuàng)新中總結(jié)的設(shè)計(jì)規(guī)則和工藝模型可用于設(shè)計(jì)和表征標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù),而在模塊級(jí),基于IC Compiler™II布局與布線、StarRC™提取、SiliconSmart®表征、PrimeTime® signoff和IC Validator物理驗(yàn)證的新思科技物理實(shí)現(xiàn)流程采用了Fusion Technology™,對(duì)PPAC的評(píng)估有明顯幫助。

聯(lián)合開(kāi)發(fā)協(xié)議的內(nèi)容包括:

·DTCO從布線能力、功耗、時(shí)序和面積等方面對(duì)晶體管和單元級(jí)設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化。

·通過(guò)工藝及器件仿真評(píng)估和優(yōu)化新的晶體管架構(gòu),包括環(huán)繞柵極納米線和納米板器件。

·針對(duì)SPICE仿真、寄生參數(shù)提取 (PEX)、庫(kù)表征和靜態(tài)時(shí)序分析 (STA) 優(yōu)化變異感知模型,準(zhǔn)確地將時(shí)序和功耗變化所帶來(lái)的影響包含到最高可靠性設(shè)計(jì)中,同時(shí)最大限度地減少過(guò)度設(shè)計(jì),降低設(shè)計(jì)流程運(yùn)行時(shí)間的開(kāi)銷。

·收集門級(jí)設(shè)計(jì)指標(biāo)以優(yōu)化模型、庫(kù)架構(gòu)和設(shè)計(jì)流程,從而得到最大限度的PPAC優(yōu)勢(shì)。

新思科技首席技術(shù)官Antun Domic博士表示,“新思科技開(kāi)發(fā)了業(yè)內(nèi)唯一完整的DTCO解決方案,涵蓋了從材料探索到模塊級(jí)物理實(shí)現(xiàn)的整個(gè)過(guò)程。IBM具有全面的工藝開(kāi)發(fā)和設(shè)計(jì)專業(yè)知識(shí),是將DTCO解決方案擴(kuò)展到后FinFET工藝技術(shù)的理想合作伙伴。”

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