F-RAM系列中的第二款串行器件（Ramtron）

Ramtron International Corporation宣布推出全新F-RAM系列產(chǎn)品中的第二款串行器件FM25V05，提供高速讀/寫(xiě)性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行外設(shè)接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8腳SOIC封裝，特點(diǎn)包括快速訪(fǎng)問(wèn)、無(wú)延遲 (NoDelay™) 寫(xiě)入、1E14讀/寫(xiě)次數(shù)和低功耗。FM25V05是工業(yè)控制、儀表、醫(yī)療、汽車(chē)、軍事、游戲、計(jì)算機(jī)及其它應(yīng)用領(lǐng)域的串行閃存和串行EEPROM存儲(chǔ)器的理想替代產(chǎn)品。除512Kb的FM25V05之外，Ramtron較早前也已宣布推出1 Mb的FM25V10產(chǎn)品。

Ramtron市場(chǎng)拓展經(jīng)理Duncan Bennett解釋道：“FM25V05為客戶(hù)提供另一種密度選擇，加上Ramtron V系列F-RAM產(chǎn)品較低工作電壓和集成功能的特性。Ramtron已計(jì)劃在V系列中推出其它器件，為客戶(hù)系統(tǒng)提供廣泛的接口和密度選擇。”

關(guān)于FM25V05
與串行閃存或串行EEPROM不同，F(xiàn)M25V05以總線(xiàn)速度執(zhí)行寫(xiě)操作，無(wú)寫(xiě)入延遲，且數(shù)據(jù)能夠立即寫(xiě)入存儲(chǔ)器陣列，并以最高每秒40Mb的速度連續(xù)寫(xiě)入數(shù)據(jù)。與串行閃存和串行EEPROM比較，F(xiàn)M25V05的耐用性高出幾個(gè)數(shù)量級(jí)以上，且功率消耗更低。

FM25V05具有高性能F-RAM功能，適用于要求頻繁或快速數(shù)據(jù)寫(xiě)入或低功耗操作的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用，范圍從需要寫(xiě)入次數(shù)極高的高頻數(shù)據(jù)采集應(yīng)用，到嚴(yán)苛的工業(yè)控制應(yīng)用。在這些應(yīng)用中，由于串行閃存或EEPROM器件的寫(xiě)入時(shí)間長(zhǎng)而出現(xiàn)潛在的數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)，因此并不適用。

FM25V05具有一個(gè)只讀器件ID，可以通過(guò)獨(dú)一無(wú)二的序列號(hào)和/或系統(tǒng)重置選項(xiàng)來(lái)命令它。器件ID提供有關(guān)制造商、產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本的信息。獨(dú)特的序列號(hào)使主機(jī)擁有一個(gè)ID，以區(qū)別于世界上任何其它主機(jī)。系統(tǒng)重置選項(xiàng)可省去對(duì)外部系統(tǒng)重置部件的需要。

FM25V05可在-40°C至+85°C的工業(yè)溫度范圍工作，以40MHz SPI時(shí)鐘速率運(yùn)行時(shí)耗電僅為3mA，待機(jī)模式耗電為90µA，睡眠模式耗電更低至5µA。FM25V05的有功功率為每MHz 38µA，其電流較同類(lèi)串行閃存或EEPROM產(chǎn)品低一個(gè)數(shù)量級(jí)。

關(guān)于F-RAM V系列
Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品采用Ramtron和德州儀器共同開(kāi)發(fā)的公認(rèn)的130nm CMOS生產(chǎn)工藝制造，包含各種并行、串行I2C和SPI存儲(chǔ)器。先進(jìn)的制造工藝能夠提高產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)格及擴(kuò)展其功能集。Ramtron已計(jì)劃在2008年年底前推出其它V系列產(chǎn)品，具有I2C和并行接口。所有串行F-RAM V系列產(chǎn)品均具有可選器件特性，包括獨(dú)特的序列號(hào)和系統(tǒng)重置。

供貨
Ramtron現(xiàn)提供符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的8腳SOIC封裝FM25V05，查詢(xún)價(jià)格詳情，請(qǐng)與Ramtron聯(lián)系。