業(yè)內(nèi)首款45nm NOR閃存芯片（恒憶）

恒憶（Numonyx）發(fā)布業(yè)內(nèi)首款采用45納米工藝技術(shù)的多級單元（MLC）NOR閃存樣片。在為客戶提供高度的產(chǎn)品連續(xù)性和可靠性的同時，新產(chǎn)品發(fā)布還使恒憶能夠大幅度提高存儲產(chǎn)品的性能。新產(chǎn)品遙遙領(lǐng)先上一代65nm產(chǎn)品，是當前市場上最先進的NOR閃存。恒憶NOR閃存芯片廣泛用于手機，運行關(guān)鍵的手機操作系統(tǒng)，管理個人數(shù)據(jù)，存儲相片、音樂和視頻。

這款45nm的1兆位(Gb)單片閃存基于Numonyx™ StrataFlash® 存儲器架構(gòu)，引腳兼容恒憶目前量產(chǎn)的65nm NOR閃存芯片。產(chǎn)品架構(gòu)的兼容性和連續(xù)性使手機原始設(shè)備制造商能夠降低開發(fā)成本，延長現(xiàn)有產(chǎn)品平臺的生命周期，利用大容量存儲和速度更快的存儲器“立即執(zhí)行”功能，加快向市場推出新產(chǎn)品的速度。與上一代產(chǎn)品相比，新技術(shù)將數(shù)據(jù)寫入速度提高50%。

“手機存儲市場還有很大的空間，升級閃存制造技術(shù)的迫切要求依然來自市場對高密度、低成本非易失性NOR閃存的需求，”恒憶首席技術(shù)官Ed Doller表示，“通過開發(fā)新的工藝技術(shù)，在業(yè)內(nèi)最先進的45nm技術(shù)平臺上制造第7代MLC NOR閃存，恒憶工程師克服了技術(shù)升級的主要限制，率先為客戶帶來性價比優(yōu)勢。”

在如何設(shè)計新一代NOR閃存技術(shù)方面，恒憶取得了一項重大設(shè)計突破。新產(chǎn)品采用一個新的自對準接觸(SAC)方法，在保持與過去產(chǎn)品兼容以及高度可靠性和產(chǎn)品質(zhì)量的同時，這種方法還使恒憶閃存產(chǎn)品得以不斷升級?！爱斦麄€行業(yè)還在設(shè)法解決閃存技術(shù)的升級能力的時候，恒憶推出的產(chǎn)品無論從架構(gòu)還是連續(xù)性上都達到甚至超過了客戶對成本和可靠性的要求，這確實是一項了不起的成就，”Doller表示。

恒憶正在一定的密度和數(shù)量范圍內(nèi)檢測新產(chǎn)品樣片，計劃今年推出采用這項新技術(shù)的產(chǎn)品。預(yù)計2010年開始量產(chǎn)。恒憶還計劃將此項技術(shù)部署到所有的嵌入式閃存解決方案中，把連續(xù)性架構(gòu)的性能優(yōu)點以及穩(wěn)定性和可靠性擴展到主要嵌入式市場。