21ic訊 超級本(Ultrabook)浪潮已經(jīng)來襲，INTEL給超級本下了幾個定義，包括厚度小于21mm，2秒喚醒，即開即用，極長續(xù)航能力。為了實現(xiàn)這些能力，必須使用低功耗的組件。CPU自然是INTEL第三代酷睿處理器，22nm工藝更省電，集成了強悍的核芯顯卡，極炫視覺效果。硬盤則使用低功耗的SSD固態(tài)硬盤，但對內(nèi)存一直沒有給出具體要求。
怎樣的內(nèi)存才是超級本的絕配，美商博帝給出了很好的答案，第一是夠快，目前主流的還是DDR3 1333內(nèi)存，博帝直接推出DDR3 1600超頻內(nèi)存，由于內(nèi)存控制器集成在CPU中，對內(nèi)存的呑吐量要求很高，DDR3 1600可以大幅提升系統(tǒng)性能，使超級本性能如虎添翼。第二當然是省電，DDR3的標準工作電壓是1.5V，放在臺式機上沒有問題，但對于超級本來說，控制功耗是重中之重，博帝為超級本打造了1.35V的低功耗內(nèi)存模組。更低的內(nèi)存功耗可以延長電池使用壽命，使超級本支持一整天工作也成為可能。另外，低功耗也意味著更小的發(fā)熱量，對于纖薄的超級本來說，散熱是比較困難的，使用低功耗內(nèi)存可以使超級本溫度更低，有助于提高操作的舒適度。博帝的最新產(chǎn)品超級本內(nèi)存完全兼容INTEL第三代酷睿處理器，并且能工作在1.35V節(jié)能低電壓，為消費者提供一個兼顧節(jié)能和性能的超級本內(nèi)存快速升級方案。
博帝超級本內(nèi)存提供了4GB和8GB兩個容量，滿足海量內(nèi)存升級需求，DDR3-1600版本的型號是PSD38G1600L2S 以及PSD34G1600L2S，CL為11;DDR3-1600版本的型號是PSD38G1333L2S 以及PSD34G1333L2S，CL為9，工作電壓皆為1.35V，也可兼容1.5V。它使用標準的SODIMM樣式，黑色PCB板，204pin金手指，雙面封裝。每個內(nèi)存模組都經(jīng)過嚴格的人工測試，保證品質(zhì)和性能。我們知道打造低電壓的超頻內(nèi)存是比較困難的，只有通過精挑細選的顆粒和復雜的測試，再加上良好的工藝才能打造出低電壓、高頻率的內(nèi)存模組，這類內(nèi)存是玩家夢寐以求的產(chǎn)品。
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