Vishay 推出 650V快速體二極管MOSFET 可提高軟開關(guān)電壓余量

時間：2016-05-12 14:20:13

關(guān)鍵字： MOSFET Vishay 電壓余量

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[導(dǎo)讀]日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，擴大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF擴大了該公司的600V產(chǎn)品，為工業(yè)、通信和可再生能源應(yīng)用提供了迫切需要的電壓余量。

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，擴大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF擴大了該公司的600V產(chǎn)品，為工業(yè)、通信和可再生能源應(yīng)用提供了迫切需要的電壓余量。

今天推出的這批650V快速體二極管MOSFET采用E系列超級結(jié)技術(shù)制造，反向恢復(fù)電荷(Q_rr)比傳統(tǒng)MOSFET低10倍。這樣器件就能更快地阻斷電壓，有助于避免共通和熱過應(yīng)力造成的失效，在零電壓切換(ZVS)/軟開關(guān)拓撲中提高可靠性，例如移相橋、LLC轉(zhuǎn)換器和3電平逆變器。

21A SiHx21N65EF有5種封裝形式，28A SiHx28N65EF和33A SiHG33N65EF各有兩種封裝。這些MOSFET的導(dǎo)通電阻分別只有157mΩ、102mΩ和95mΩ，柵極電荷也非常低，使得器件的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗都極低，在太陽能逆變器、服務(wù)器和通信電源系統(tǒng)、ATX/Silver PC開關(guān)電源、焊接設(shè)備、UPS、電池充電器、外置式電動汽車(EV)充電樁等高功率、高性能開關(guān)應(yīng)用，以及LED、高強度氣體放電(HID)和熒光燈鎮(zhèn)流器照明中起到節(jié)能的作用。

器件可承受雪崩和換向模式中的高能脈沖，確保限值通過100% UIS測試。MOSFET符合RoHS，無鹵素。

器件規(guī)格表：

新的650V EF系列MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周到十八周。