格芯以eVaderis超低耗電 MCU 參考設計強化 22FDX® eMRAM 平臺

美國加利福尼亞圣克拉拉，(2018 年 2月 27 日)——今日，格芯 與 eVaderis共同宣布，將共同開發(fā)超低功耗MCU參考設計方案，該方案基于格芯22nm FD-SOI(22FDX®)平臺的嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術。雙方合作所提供的技術解決方案將格芯22FDX eMRAM優(yōu)異的可靠性與多樣性與 eVaderis的超低耗電IP結合，適合包括電池供電的物聯網產品、消費及工業(yè)用微處理器、車用控制器等各種應用。

eVaderis 的 MCU 設計充分利用了 22FDX 平臺高效的電源管理能力，相較于上一代 MCU，電池續(xù)航力可提高到10 倍以上，同時芯片尺寸大幅降低。這項由格芯FDXcelerator™合作項目(FDXcelerator™ Partner Program)開發(fā)的技術，所提供的高器件密度、低成本的單芯片解決方案，特別符合對功耗敏感的應用， 可幫助芯片設計人員將效能、密度以及易用性推向新的高度。

“eVaderis 創(chuàng)新架構的超低耗電 MCU IP 設計以格芯 22FDX eMRAM 技術為基礎打造，非常適合常閉的(normally-off)物聯網應用。”eVaderis 總裁兼首席執(zhí)行官 Jean-Pascal Bost表示，“以格芯eMRAM 作為工作內存，可讓MCU的部分電路更頻繁的下電，而不會引起MCU的性能損失。eVaderis 希望能在今年年底之前將這項通過驗證的 IP 提供給客戶。”

“穿戴式和物聯網裝置需要耐久的電池續(xù)航力、更高的運行能力并集成先進的傳感器。”格芯嵌入式存儲器事業(yè)部副總裁 Dave Eggleston 表示，“身為 FDXcelerator 合作伙伴，eVaderis運用基于格芯 22FDX 的 eMRAM技術， 開發(fā)全新的MCU架構，幫助客戶達成更高的需求。”

格芯與eVaderis基于格芯22FDX 的 eMRAM技術共同開發(fā)的參考設計將于 2018 年第 4 季面世。包含有eMRAM 和射頻解決方案的22FDX設計套件現已發(fā)布。用于客戶進行原型驗證的多項目晶圓(MPW)已經開放，現成的eMRAM 模塊也已提供，有Flash 和SRAM兩種接口方案可供選擇，使得客戶可以更容易地進行產品設計。格芯預計eMRAM將在 2018 年開始小批量生產