三款多通道 PowerWise® 10Gbps中繼器（NS）

美國國家半導(dǎo)體公司（National Semiconductor Corp.）宣布推出三款多通道 PowerWise® 10Gbps中繼器， 其特點(diǎn)是均衡增益高達(dá)36dB，優(yōu)于所有競(jìng)爭產(chǎn)品，而且每通道功耗只有55mW，僅為目前市場(chǎng)上其他解決方案的一半。 此外，電纜長度也可延長一倍（以24-AWG 電纜為例，傳送距離可長達(dá)20米）。 這幾款中繼器的推出將進(jìn)一步鞏固美國國家半導(dǎo)體在高性能模擬技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。

 
美國國家半導(dǎo)體的10Gbps中繼器系列采用該公司的第三代SiGe雙極CMOS工藝技術(shù)制造，具有接收均衡和發(fā)送去加重功能，可為數(shù)據(jù)中心及高性能通信系統(tǒng)提供通道損耗補(bǔ)償，因此，該系列中繼器芯片可以延長電纜的傳送距離，并將數(shù)據(jù)帶寬提高至10.3125Gbps， 因此適用于符合10 GbE、Fibre Channel、XAUI、CPRI 和 Infiniband 等串行傳輸協(xié)議的高速有源電纜組件及FR-4 背板。 此外，這幾款中繼器也可支持存儲(chǔ)系統(tǒng)的SAS/SATA頻帶外（OOB）信號(hào)傳輸功能。
 
由于互聯(lián)網(wǎng)涌現(xiàn)大量的多媒體內(nèi)容，加上云計(jì)算及多核虛擬服務(wù)器的出現(xiàn)，令新一代數(shù)據(jù)中心系統(tǒng)對(duì)接口帶寬的要求越趨嚴(yán)格。 但互連線路的長度沒變，這令功耗及信號(hào)完整性成為一個(gè)有待解決的問題。 有源銅線電纜組件及背板只要內(nèi)置美國國家半導(dǎo)體的信號(hào)調(diào)節(jié)器便可確保信號(hào)完整性，降低系統(tǒng)功耗，相對(duì)于光纖電纜方案，大幅降低互連成本。
 
美國國家半導(dǎo)體10Gbps中繼器令有源銅導(dǎo)線互連方案的功耗僅為市場(chǎng)上其他電纜方案的四分一，而電纜傳送距離則可延長兩倍。 美國國家半導(dǎo)體新款中繼器能夠有這樣的優(yōu)勢(shì)，是因?yàn)樵撓盗行酒捎萌碌腟iGe雙極CMOS工藝制造，可以支持較高的帶寬并產(chǎn)生較少噪聲，讓信號(hào)抖動(dòng)和功耗大幅減少。4通道的DS100BR410芯片適用于高密度的連接器如QSFP和CXP，而DS100BR111芯片則適用于單通道的SFP+連接器。
 
美國國家半導(dǎo)體10 Gbps 中繼器系列
 
DS100BR410 芯片內(nèi)含四條單向通道，每通道功耗僅為55mW（典型值），且只需一個(gè)2.5V的電源供電。 此外，通過每通道上的接收均衡功能（可將信號(hào)增強(qiáng)36dB）和發(fā)送去加重功能（可將信號(hào)減弱9dB），該芯片可以補(bǔ)償通道損耗，延長電纜的傳送距離，這令工程師在為系統(tǒng)布線時(shí)具有更大靈活性。
 
DS100BR210 芯片內(nèi)含兩條單向通道，DS100BR111 芯片則包含一條雙向通路（一條為發(fā)送通道，另一條則為接收通道），每一通道的功耗都僅為65mW（典型值），這兩款芯片都可采用3.3V 及 2.5V的電源供電。 兩款芯片均具備增益高達(dá)36dB的接收均衡功能和-12dB 的發(fā)送去加重功能。 以上三款中繼器均可關(guān)斷空閑通道，并可通過引腳或I2C兼容的SMBus接口設(shè)置信號(hào)調(diào)節(jié)值。
 
DS100BR410芯片采用48引腳的無引線LLP®封裝，大小僅為7mm x 7mm，采購以 1,000 顆為單位，單顆售價(jià)為13美元， 現(xiàn)已批量供貨。DS100BR210及DS100BR111兩款芯片均采用24引腳的LLP封裝，采購以1,000顆為單位，單顆售價(jià)為6.95美元，將于2011年3月初開始有樣品供應(yīng)。