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[導(dǎo)讀]21ic訊 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出其下一代TrenchFET® Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET中的首款器件。SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN采用了新型高密度設(shè)計,在

21IC訊 Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款通過AEC-Q200認證的D/CRCW e3厚膜片電阻的新型工程設(shè)計套件。套件可幫助設(shè)計者選擇最適合其應(yīng)用的電阻,提供0402、0603、0805和1206外形尺寸及一系列的可選阻值,同時樣片封裝在卷帶條并附有單獨的標(biāo)簽。

本次發(fā)布的4款設(shè)計套件采用E96系列阻值標(biāo)準(zhǔn),范圍從10Ω到1MΩ(每檔間隔4個阻值),同時額外包含一個0Ω跳線,每款套件總共包含122種不同的阻值。電阻的容差為±1%,TCR為±100ppm/K,功率耗散為0.063W~0.25W,電阻芯電壓為50V~200V。

D/CRCW e3厚膜片式電阻非常適合汽車、工業(yè)設(shè)備、通信基礎(chǔ)設(shè)施、消費品和計算機等領(lǐng)域的應(yīng)用。器件符合RoHS指令2011/65/EU,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定。

規(guī)格表:

產(chǎn)品 額定耗散 P70 電壓 數(shù)量
D10/CRCW0402 e3 0.063 W 50 V 122 x 100
D11/CRCW0603 e3 0.10 W 75 V 122 x 50
D12/CRCW0805 e3 0.125 W 150 V 122 x 50
D25/CRCW1206 e3 0.25 W 200 V 122 x 50

新款工程設(shè)計套件現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),供貨周期為六周。


Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器和電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用在工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍工、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備當(dāng)中。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的戰(zhàn)略收購,以及“一站式”服務(wù),Vishay成功躋身業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)廠商之列
 

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