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[導(dǎo)讀]21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 擴(kuò)大其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列,推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500,新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通管制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR)應(yīng)用,ASR用

21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation) 擴(kuò)大其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列,推出新型S波段 500W RF器件2729GN-500,新器件瞄準(zhǔn)大功率空中交通管制機(jī)場(chǎng)監(jiān)視雷達(dá)(ASR)應(yīng)用,ASR用于監(jiān)視和控制在機(jī)場(chǎng)大約100英里范圍的飛機(jī)。

在2.7 至2.9 GHz頻段上,2729GN-500晶體管具有無與倫比的500W峰值功率、12 dB功率增益和53%漏極效率性能,通過單一器件在這個(gè)頻段上提供最大功率,主要特性包括:

· 標(biāo)準(zhǔn)脈沖間歇格式: 100µs, 10 % DF

· 出色的輸出功率: 500W

· 高功率增益: >11.5 dB min

· 漏極偏壓−Vdd: +65V

· 低熱阻: 0.2℃/W

使用GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT)實(shí)現(xiàn)的系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)包括:

· 具有簡(jiǎn)化阻抗匹配的單端設(shè)計(jì),替代需要額外合成的較低功率器件

· 最高峰值功率和功率增益,可減少系統(tǒng)功率級(jí)數(shù)與末級(jí)合成

· 單級(jí)對(duì)管提供具有余量的1.0 kW峰值輸出功率,通過四路組合提供全系統(tǒng)2kW峰值輸出功率

· 65V的高工作電壓減小電源尺寸和DC電流需求

· 極其穩(wěn)健的性能提升了系統(tǒng)良率,而且

· 放大器尺寸比使用硅雙極結(jié)晶體管(Si BJT)或橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)器件的產(chǎn)品減小50%

封裝和供貨:

2729GN-500晶體管采用單端封裝供貨,在密封的焊料密封封裝中采用100% 高溫金鍍金線材布線,實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期軍用級(jí)可靠性。

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