ST推出業(yè)內(nèi)最高頻率、最寬帶寬的集成化微波射頻合成器
21ic訊 近日橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST)宣布推出新款的集成微波寬帶射頻合成器 STuW81300單片,可覆蓋1.925GHz至16GHz的射頻頻段,創(chuàng)下IC市場(chǎng)上最寬頻帶和最高頻率的記錄。與基于III-V技術(shù)的低集成度的傳統(tǒng)微波射頻合成器相比,STuW81300采用意法半導(dǎo)體的具有業(yè)界領(lǐng)先性能的BiCMOS SiGe集成制造工藝,可降低組件成本,實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)效益更高的多用途射頻架構(gòu)。
STuW81300整合了N型分頻鎖相環(huán)(PLL,phase-locked-loop)內(nèi)核,以及低器噪寬帶壓控振蕩器(VCO,voltage-controlled oscillators)和穩(wěn)壓器。此外,STuW81300還提供各種可編程硬件選項(xiàng),以滿足最新和未來射頻/微波應(yīng)用需求,其中包括射頻通信、衛(wèi)星通信、基站、測(cè)試測(cè)量設(shè)備。
為支撐微波應(yīng)用市場(chǎng)迅猛擴(kuò)張,微波頻段(6GHz以上)的使用規(guī)模正在穩(wěn)步增長(zhǎng),市場(chǎng)需要成本結(jié)構(gòu)優(yōu)化的能夠開拓新市場(chǎng)的新一代射頻設(shè)備。將分立的砷化鎵(GaAs,gallium arsenide)架構(gòu)集成到寬帶SiGe芯片內(nèi),可滿足這個(gè)需求。
STuW81300的主要技術(shù)特性有:
· 最寬的工作頻段,1.925GHz-16GHz(可分配給兩個(gè)射頻輸出)
· 內(nèi)部寬帶匹配射頻輸出功率:+6dBm@6GHz; +4dBm@12GHz
· 倍頻輸出基本VCO抑制高于20dB
· -227dBc/Hz歸一化帶內(nèi)相噪底
· VCO相位噪聲(6.0GHz):-131dBc/Hz @ 1MHz頻偏
· 噪底(6.0GHz):-158dBc/Hz
· VCO相位噪聲(12.0GHz):-125dBc/Hz @ 1MHz頻偏
· 噪底(12.0GHz):-154dBc/Hz
· 0.13ps典型RMS頻率抖動(dòng)
作為意法半導(dǎo)體的獲得市場(chǎng)成功的STW81200和STW8110x產(chǎn)品系列的升級(jí)換代產(chǎn)品,新射頻合成器提供高性能和高靈活性,可以同時(shí)在同一電路板設(shè)計(jì)上支持多頻帶和多射頻標(biāo)準(zhǔn)。例如在衛(wèi)星通信應(yīng)用中,STuW81300可直接用作本機(jī)振蕩器,在電路板連接一個(gè)倍頻器,可調(diào)制解調(diào)Ku頻段信號(hào)或者Ka頻段信號(hào)。在其它應(yīng)用中,STuW81300還能完全驅(qū)動(dòng)外部壓控振蕩器(例如GaAs)。
5V或3.6V非穩(wěn)壓?jiǎn)坞娫醋孲TW81300在市場(chǎng)上獨(dú)一無二,結(jié)合優(yōu)化的功耗和性能,使其應(yīng)用范圍從傳統(tǒng)市電供電基礎(chǔ)設(shè)施擴(kuò)至低功耗應(yīng)用。
意法半導(dǎo)體目前已開始提供STuW81300測(cè)試樣片,并獲得多家客戶采用,預(yù)計(jì)2016將實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。意法半導(dǎo)體還可提供評(píng)估套件和6x6mm四邊扁平封裝的樣片。評(píng)估工具包括STWPLLSim軟件工具,讓開發(fā)人員能夠按照項(xiàng)目實(shí)際要求快速且準(zhǔn)確地修改應(yīng)用設(shè)計(jì)。