Renesas發(fā)布5W高頻功率MOSFET

瑞薩科技公司宣布推出包括5 W輸出RQA0002在內(nèi)的三種高頻功率MOSFET，用于手持式無(wú)線電設(shè)備及類似設(shè)備中的傳輸功率放大，通過(guò)使用新工藝和新封裝，實(shí)現(xiàn)了高效率*1、并大大減小了封裝的尺寸。

在2005年5月，將在日本開(kāi)始無(wú)線電天線1 W輸出RQA0001的批量生產(chǎn)，在7月份開(kāi)始5 W 輸出RQA0002的批量生產(chǎn)，在4月22日開(kāi)始3 W 輸出RQA0003的批量生產(chǎn)。

這些新產(chǎn)品的主要特性如下。

(1)    在低電壓下實(shí)現(xiàn)高效率
由于大多數(shù)商用和休閑用無(wú)線電設(shè)備是手持式的，要求高頻功率MOSFET提供適合電池驅(qū)動(dòng)和高效率的低壓操作，使通信時(shí)間可以延長(zhǎng)。通過(guò)使用新工藝，這三種產(chǎn)品在3.6 V－7.5 V的低壓操作下實(shí)現(xiàn)了高效率。尤其是RQA0002，可以提供5 W輸出下的業(yè)界最高效率水平，功率附加效率是68% (7.5 V工作電壓和520 MHz頻率下)。與瑞薩科技先前的12 V下工作的產(chǎn)品相比，功率附加效率增加了大約4%，同時(shí)降低了電壓，并實(shí)現(xiàn)了高達(dá)9 W的輸出功率。

(2)    小型、薄型、無(wú)引線、無(wú)鉛封裝
我們已經(jīng)開(kāi)發(fā)出兩種具有很好散熱特性的小型、薄型封裝，以滿足更小、更薄手持式設(shè)備的需要。WSON0504-2的尺寸為5.0 mm × 4.0 mm 、厚度為0.8 mm (最大值) ，它的 (瑞薩科技的封裝代碼) 的安裝面積比瑞薩科技目前的RP8P (瑞薩科技的封裝代碼) 封裝約減小了31%，厚度小了大約46% 。RQA0002通過(guò)使用這種封裝，成為了業(yè)界最小、最薄的5 W輸出高頻功率MOSFET。RQA0001 和RQA0003使用尺寸為3.0 mm × 3.0 mm、厚度為0.8 mm (最大值) 的WSON0303-2 (瑞薩科技的封裝代碼) ，與目前的UPAK (瑞薩科技的封裝代碼) 封裝相比，安裝面積約減小了53%、厚度約減小了50%。

WSON0504-2和WSON0303-2是無(wú)引線型封裝，將電接地和散熱結(jié)合起來(lái)，并且是綠色環(huán)保的完全無(wú)鉛結(jié)構(gòu)。

這三種產(chǎn)品系列可以用于不同的天線輸出，與具有不同無(wú)線電規(guī)則的各國(guó)商用和休閑用無(wú)線電設(shè)備兼容。