Renesas發(fā)布高性能硅鍺MMIC

瑞薩科技公司（Renesas）今天宣布，推出一種用于無線局域網（LAN）終端發(fā)射功率放大器的高性能2.4GHz/5GHz雙模硅鍺（SiGe）MMIC*1 HA31010。樣品將于2006年6月從日本開始供貨。

HA31010的主要特性如下。

(1)    2.4GHz/5GHz雙模操作
在一個單芯片中集成了一個支持IEEE802.11b/g*2無線局域網標準的2.4GHz頻帶放大器電路，以及一個支持IEEE802.11a*2標準的5GHz頻帶放大器電路，以提供雙模操作。與使用兩個分立的2.4GHz和5GHz的瑞薩硅鍺MMIC相比，它可以使安裝面積%減少大約40％。

(2)    高增益和低電流耗散
HA31010可實現硅鍺MMIC的高增益及業(yè)界最低的電流耗散水平，在使用2.4GHz頻帶時，其功率增益為28dB，電流耗散為130mA；在使用5GHz頻帶時，其功率增益為24dB，電流耗散為160mA。

(3)    片上切換電路
利用易于實現的硅鍺CMOS工藝*3將一個采用MOSFET的切換電路集成到HA31010 中。這有助于放大器電路在2.4GHz/5GHz頻帶之間的切換，并進行傳輸和接收切換，而無需增加一個外部切換器件。此外，其待機電流非常低，在0.1μA以下，這是其降低功耗的關鍵。

(4)    片上輸出功率檢測器電路
為了有效地達到無線局域網設備的低功耗要求，就需要一種可實現通信所需最小輸出功率的自動輸出功率控制功能。HA31010集成了一個作為實現該功能傳感器的輸出功率檢測器電路，有效地減少了元件數目，同時也縮小了占板面積更。

最近幾年，隨著集成了無線局域網功能的筆記本電腦、便攜式游戲機和數字視聽設備的迅速增長，隨時隨地的高速無線通信已成為了現實。當通信速率和數據量增加時，支持雙頻帶——2.4GHz（IEEE802.11b和IEEE802.11g），以及和5GHz（IEEE802.11a）——的雙模與三模（IEEE802.11a與b與）系統(tǒng)已成為無線局域網終端的主流。同時，IEEE在2006年1月批準了IEEE802.11n*2下一代高速無線局域網標準草案規(guī)范，其特征是可能引入MIMO*4技術，以改善使用多天線的通信速率。因此，對以更小的安裝面積和更低電流耗散提供雙頻帶能力功率放大器MMIC的需求開始出現，旨在實現更小、更低功耗的無線局域網終端發(fā)射器。

2005年，瑞薩科技利用一個硅鍺MMIC系列進入了無線局域網市場。當時發(fā)布的HA31005 5GHz頻帶功率放大器MMIC系列具有高度集成、低價格和高性能的特點。現在，為了滿足上述需求，瑞薩科技又發(fā)布了HA31010功率放大器MMIC，以提供更高的性能和2.4GHz/5GHz的雙模操作。

<其他產品信息>
(1)    HA31010的特性
·    2.4GHz頻帶和5GHz頻帶放大器電路以平行的方式集成在一個單個芯片中，可提供一種緊湊外形的2.4GHz/5GHz雙模產品。
·    采用一種超精細硅鍺CMOS工藝實現了高度集成，可對晶體管形成和電路布局進行優(yōu)化，以減少可導致高頻特性下降的寄生電容和寄生感應*5。這使之可以在2.4GHz時實現28dB的功率增益，4%的EVM*6的79mW（+19dBm）輸出功率，以及130mA（使用3.3V電源電壓）的電流耗散；在5.2GHz時，功率增益為24dB，4%的EVM的輸出功率為63mW（+18dBm），電流耗散為160mA（使用3.3V電源電壓）。
·    一個采用MOSFET的片上切換電路可以實現雙頻帶放大器電路通/斷控制，并簡化頻帶切換和發(fā)送/接收切換的設計。
·    封裝采用小型表面貼裝的24引腳WQFN0404（瑞薩封裝代碼），尺寸為4.0mm×4.0mm×0.8mm。

(2)    完全無鉛封裝
·    HA31010采用導電銀漿材料以改善集成電路芯片裸片焊接的可靠性和傳導率；此外，封裝電極鍍層采用了Sn-Bi（錫鉍），以實現完全的無鉛封裝。