Fairchild 推出DPAK SuperFET器件

    飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild) 開發(fā)出新的低導(dǎo)通阻抗600V SuperFET™ MOSFET器件系列，專為滿足最新的超纖小型鎮(zhèn)流器應(yīng)用的DPAK (TO-252) 器件需求而設(shè)計。飛兆半導(dǎo)體DPAK封裝的 SuperFET器件的導(dǎo)通阻抗僅為傳統(tǒng)Planar型MOSFET的三分之一 (0.6 ~ 1.2 Ohm)，能滿足高頻照明系統(tǒng)設(shè)計的系統(tǒng)效率需求且將開關(guān)和傳導(dǎo)損耗減至最小。這些器件還可以承受高速電壓 (dv/dt) 和電流 (di/dt) 開關(guān)瞬態(tài)響應(yīng)，能在高頻鎮(zhèn)流器中可靠的工作。

    一般而言，當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET的擊穿電壓增大時，其導(dǎo)通阻抗RDS(on) 將隨之呈指數(shù)級增長，并導(dǎo)致芯片尺寸增大。飛兆半導(dǎo)體專有的SuperFET 技術(shù)則將RDS(on)與芯片尺寸的這種指數(shù)關(guān)系變?yōu)榫€性關(guān)系，這使SuperFET器件獲得非常出色的RDS(on) 和很小的芯片尺寸，甚至在600V擊穿電壓下亦然。飛兆半導(dǎo)體采用DPAK封裝的SuperFET器件是這種先進(jìn)封裝技術(shù)的最新成果。
 
    飛兆半導(dǎo)體功能功率部副總裁Taehoon Kim表示：“DPAK封裝器件是我們的SuperFET 產(chǎn)品系列的最新成員，專為滿足照明系統(tǒng)制造商對提高能源效率和減少占位空間的要求而設(shè)計。利用我們專有的SuperFET技術(shù)，可以獲得極低的導(dǎo)通阻抗以減小MOSFET芯片尺寸，并實現(xiàn)600V/0.6 Ohm的 DPAK封裝產(chǎn)品。相比之下，通常用于照明應(yīng)用的600V/0.6 Ohm平坦化MOSFET器件則采用較大的TO-220或 D2PAK (TO-263) 封裝。飛兆半導(dǎo)體的DPAK SuperFET技術(shù)為我們的客戶提供了采用更緊湊封裝的低導(dǎo)通阻抗器件，從而滿足了市場對纖小化電子鎮(zhèn)流器不斷增長的需求。”
除了用于鎮(zhèn)流器的DPAK封裝器件外，飛兆半導(dǎo)體針對照明、有源功率因數(shù)校正 (PFC) 和 AC/DC電源系統(tǒng)提供全面的SuperFET產(chǎn)品系列。

     飛兆半導(dǎo)體為照明總體解決方案提供一系列產(chǎn)品。除SuperFET器件之外，這些產(chǎn)品還包括PFC 控制器、鎮(zhèn)流器控制芯片和高壓柵極驅(qū)動器。。

     SuperFET MOSFET采用無鉛DPAK封裝，能達(dá)到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C標(biāo)準(zhǔn)要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標(biāo)準(zhǔn)。

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