最新MDmesh V功率MOSFET技術(shù)（ST）

意法半導(dǎo)體（ST）宣布，功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破，最新的MDmesh™ V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻。MDmesh V讓新一代650V MOSFET將RDS(ON)降到0.079Ω以下，采用緊湊型功率封裝，使能效和功率都達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。這些產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用是以小尺寸和低能耗為訴求的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。

33A的STP42N65M5是意法半導(dǎo)體的首款MDmesh V產(chǎn)品，采用TO-220封裝，導(dǎo)通電阻0.079Ω。降低的導(dǎo)通電阻有助于提高能效，在大多數(shù)功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中，可實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最低的RDS(ON)。STx42N65M5全系列產(chǎn)品還提供其它的封裝選擇，包括D2PAK貼裝以及TO-220FP、I2PAK和TO-247。目前正在量產(chǎn)的STx16N65M5系列也是650V產(chǎn)品，額定RDS(ON) 為0.299 Ω，額定電流為12A。意法半導(dǎo)體的MDmesh V 650V MOSFET技術(shù)藍(lán)圖還包括電流更大的產(chǎn)品，采用Max247封裝的產(chǎn)品RDS(ON)低至0.022Ω，TO-247封裝低至0.038Ω。這些產(chǎn)品計(jì)劃在2009年3月上市。

“MDmesh V產(chǎn)品在RDS(ON)上的改進(jìn)將會(huì)大幅度降低PFC電路和電源的電能損耗，從而能夠?qū)崿F(xiàn)能耗更低、尺寸更小的新一代電子產(chǎn)品，”意法半導(dǎo)體功率MOSFET產(chǎn)品部市場(chǎng)總監(jiān)Maurizio Giudice表示，“這項(xiàng)新技術(shù)將幫助產(chǎn)品設(shè)計(jì)工程師解決新出現(xiàn)的挑戰(zhàn)，例如，新節(jié)能設(shè)計(jì)法規(guī)的能效目標(biāo)，同時(shí)再生能源市場(chǎng)也是此項(xiàng)技術(shù)的受益者，因?yàn)樗梢怨?jié)省在電源控制模塊消耗的寶貴電能?！?/p>

作為意法半導(dǎo)體在成功的多漏網(wǎng)格技術(shù)上的最新進(jìn)步，通過改進(jìn)晶體管的漏極結(jié)構(gòu)，降低漏--源電壓降，MDmesh V在單位面積導(dǎo)通電阻RDS(ON) 上表現(xiàn)異常出色。此項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)可降低這款產(chǎn)品的通態(tài)損耗，同時(shí)還能使柵電荷量(Qg)保持很低，在高速開關(guān)時(shí)實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的能效，提供低‘RDS(ON) x Qg’的靈敏值（FOM）。新產(chǎn)品650V的擊穿電壓高于競(jìng)爭(zhēng)品牌的600V產(chǎn)品的擊穿電壓，為設(shè)計(jì)工程師提供寶貴的安全裕量。意法半導(dǎo)體的MDmesh V MOSFET的另一項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)是，關(guān)斷波形更加平滑，柵極控制更加容易，并且由于EMI降低，濾波設(shè)計(jì)更加簡單。

MDmesh V MOSFET的節(jié)能優(yōu)勢(shì)和高功率密度將會(huì)給終端用戶產(chǎn)品的節(jié)能帶來實(shí)質(zhì)性提升，例如：筆記本電腦的電源適配器、液晶顯示器、電視機(jī)、熒光燈鎮(zhèn)流器、電信設(shè)備、太陽能電池轉(zhuǎn)換器以及其它的需要高壓功率因數(shù)校正或開關(guān)功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用設(shè)備。