新型20V P溝道功率MOSFET （Vishay）

該器件在4.5V和2.5V電壓下的導(dǎo)通電阻降低了42%，在1.8V電壓下的導(dǎo)通電阻則降低了46%、TrenchFET® Gen III P溝道技術(shù)在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了十億個晶體管單元
 
     日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款業(yè)界最低導(dǎo)通電阻的新型20V P溝道功率MOSFET --- SiB457EDK，這是以往1.6mm×1.6mm占位面積的P溝道器件所不曾實現(xiàn)的。新型SiB457EDK采用了TrenchFET® Gen III P溝道技術(shù)，該技術(shù)利用自對準(zhǔn)工藝制程，在每平方英寸的硅片上裝進(jìn)了十億個晶體管單元。該項前沿技術(shù)可實現(xiàn)極其精細(xì)、亞微米線寬工藝，將目前業(yè)界P溝道MOSFET的最低導(dǎo)通電阻減小了將近一半。
 
     隨著這種新器件的發(fā)布，采用四種表面貼裝封裝類型的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET現(xiàn)已供貨，其中包括耐熱增強型PowerPAK® SO-8封裝，它可在SO-8占位面積中實現(xiàn)低至1.9mΩ的業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻。SiB457EDK采用PowerPAK ®SC-75封裝，是該系列中是迄今最小的器件，在1.6mm×1.6mm占位面積中實現(xiàn)了業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻。其RDS(on)值從4.5V的35mΩ到1.5V的130mΩ。與具有相同額定電壓的最接近的P溝道器件相比，這些新的SiB457EDK在4.5V和2.5V電壓下的導(dǎo)通電阻降低了42%，在1.8V電壓下的導(dǎo)通電阻則降低了46%。
 
    TrenchFET Gen III P溝道MOSFET有助于在各種應(yīng)用中節(jié)約能源，如筆記本電腦和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器和負(fù)載開關(guān)，以及手機、智能手機、PDA和MP3播放器等便攜式設(shè)備的充電電路中的負(fù)載開關(guān)。每平方英寸裝入十億個單元的工藝實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻，這項重大技術(shù)突破意味著更低的傳導(dǎo)損耗、節(jié)省功耗和延長兩次充電之間的電池壽命。下表總結(jié)了目前發(fā)布的TrenchFET Gen III P溝道器件的主要規(guī)格。

  SiB457EDK規(guī)定了四個柵極至源極電壓條件下的導(dǎo)通電阻額定值，包括使設(shè)計以較小的輸入電壓實現(xiàn)較高的安全裕量的1.5V額定值。同時，其緊湊的PowerPAK SC-75封裝可減少電源電路所需的空間，為其他產(chǎn)品功能或?qū)崿F(xiàn)更小的最終產(chǎn)品開辟了空間。SiB457EDK還采用了2500V典型ESD保護(hù)，可減少現(xiàn)場故障，同時具有在VGS = 8V條件下僅為5μA的低漏電流。
 
      P溝道TrenchFET Gen III功率MOSFET系列為無鹵素產(chǎn)品，符合IEC 61249-2-21、RoHS指令2002/95/EC，以及100%的Rg測試要求。