面向隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器的低損耗功率MOSFET (瑞薩科技)

瑞薩科技公司（以下簡(jiǎn)稱瑞薩）推出12款第10代、面向服務(wù)器、通信設(shè)備和工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)電源中使用的隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器*1的功率MOSFET產(chǎn)品。新型功率MOSFET在降低開(kāi)關(guān)損耗*2、提高能效的同時(shí)，還具有很寬的電壓容差范圍（40V、60V、80V 和 100V）。上述產(chǎn)品將于2009年12月3日起投入批量生產(chǎn)。

這12款新產(chǎn)品采用的第10代制造工藝在早期的、重點(diǎn)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻*2的功率MOSFET（主要用于非隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器）上已經(jīng)得到了普遍認(rèn)同。此項(xiàng)工藝在進(jìn)行了優(yōu)化后，更能實(shí)現(xiàn)比瑞薩先前產(chǎn)品低達(dá)50%的柵-漏極電荷（Qgd）*3。而柵-漏極電荷正是在功率MOSFET內(nèi)實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗的一個(gè)重要特性。此外，新產(chǎn)品所采用的高性能封裝（瑞薩科技公司封裝編號(hào)：LFPAK）還可降低封裝電阻、改善散熱特性、提升產(chǎn)品性能，從而使隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器提高效率、降低能耗。

新型功率MOSFET具有如下特性：

(1)柵-漏極電荷比瑞薩早期的產(chǎn)品約低50%（電壓容差為100V的RJK1056DPB）
為了降低隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器的能耗，需要柵-漏極電荷（Qgd）較低（這是降低開(kāi)關(guān)損耗的一個(gè)重要因素）的功率MOSFET。這12款新型功率MOSFET采用瑞薩第10代針對(duì)該應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化的0.18μm 工藝制造而成。例如，電壓容差為100V的RJK1056DPB，其柵-漏極電荷為7.5nC，約為瑞薩早期產(chǎn)品HAT2173H（14.5nC）的一半。

(2)電壓容差范圍廣（40V、60V、80V 和 100V）
隔離 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的輸入和輸出電壓取決于所使用的功率MOSFET的電壓容差。在隔離元件方面，隔離 DC-DC 轉(zhuǎn)換器由充當(dāng)輸入端的主電源和充當(dāng)輸出端的副電源組成。新型功率 MOSFET 系列包含專(zhuān)門(mén)用于滿足一次側(cè)需求、電壓容差為80V 和100V的產(chǎn)品，以及用于滿足二次側(cè)需求、電壓容差為40V和60V的產(chǎn)品。用戶可以選擇最符合其要求的產(chǎn)品。

(3)高性能封裝提升了產(chǎn)品性能
新型功率MOSFET采用瑞薩得到普遍認(rèn)可的LFPAK（瑞薩科技公司封裝編號(hào)）*4高性能封裝。它提供了低封裝電阻和出色的散熱特性，能夠防止元件出現(xiàn)過(guò)熱的情況。與傳統(tǒng)的SOP-8或類(lèi)似的封裝相比，該封裝本身就為產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了低損耗。從內(nèi)部直接連接到導(dǎo)線框上，從而降低了封裝電感，保證了高頻操作的實(shí)現(xiàn)。