適用于超便攜式電子產(chǎn)品的小型SOT963封裝器件（Diodes）
[導(dǎo)讀]Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60
Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。
Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應(yīng)用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。
現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號雙MOSFET 組合及1個4線配置瞬態(tài)電壓抑制器陣列DUP412VP5。這些器件的引腳封裝支持手焊及目測，無需X光檢測。
采用SOT963封裝的雙晶體管包括雙NPN、雙PNP和互補NPN-PNP配對，額定集電極-發(fā)射極電壓 (VCEO) 為 40V 和45V。雙N 型 、雙P型及互補 MOSFET 組件的額定崩潰電壓 (BVDSS) 為20V，額定導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 都在1.5V 下測量。
下載文檔
