DIOFET器件DMS3014SSS和DMS3015SSS（Diodes）

時(shí)間：2010-10-11 02:10:58

關(guān)鍵字：器件 DM DIODES FET

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[導(dǎo)讀]Diodes 公司推出首批采用專有DIOFET工藝開發(fā)的產(chǎn)品，將一個(gè)功率MOSFET與反并聯(lián)肖特基二極管集成在一個(gè)芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件適用于同步降壓負(fù)載點(diǎn) (PoL) 轉(zhuǎn)換器的低側(cè)MOSFET位置，有助于提升效

Diodes 公司推出首批采用專有DIOFET工藝開發(fā)的產(chǎn)品，將一個(gè)功率MOSFET與反并聯(lián)肖特基二極管集成在一個(gè)芯片上。最新的DMS3014SSS 和 DMS3015SSS 器件適用于同步降壓負(fù)載點(diǎn) (PoL) 轉(zhuǎn)換器的低側(cè)MOSFET位置，有助于提升效率，同時(shí)降低大批量計(jì)算、通信及工業(yè)應(yīng)用中快速開關(guān)負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器的工作溫度。

在10V 的VGS電壓下，DMS3014SSS 和 DMS3015SSS的RDS(ON)分別僅為10mΩ 及8.5mΩ。這些器件能把通常情況下與低側(cè)MOSFET相關(guān)的導(dǎo)通損耗降至最低。與此同時(shí)，DIOFET集成的肖特基二極管正向電壓比同類MOSFET或肖特基二極管低25%，比典型MOSFET的本征體二極管低48%，從而最大限度地降低了開關(guān)損耗，提高了效率。DIOFET 集成的肖特基二極管擁有低反向恢復(fù)電荷，以及更軟性的反向恢復(fù)特性，能進(jìn)一步降低體二極管的開關(guān)損耗。

在基準(zhǔn)測(cè)試中，DIOFET 的工作溫度與其它競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比低5%。MOSFET 結(jié)溫每降低10℃，DIOFET的永久可靠性便增加一倍。較低的DIOFET器件工作溫度大大提升了負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器的可靠性。