飛兆推出Generation II XS DrMOS器件

21ic訊  高效率、大電流處理能力和小外形尺寸是電源設(shè)計(jì)人員選擇用于電壓調(diào)節(jié)器解決方案的元件的至關(guān)重要的因素，為了滿足這一需求，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出一系列Generation II XS DrMOS (集成式驅(qū)動(dòng)器 + MOSFET) 器件，這些器件能夠提供高效率和高功率密度，可讓設(shè)計(jì)人員滿足不同應(yīng)用的特定設(shè)計(jì)需求。

Generation II XS DrMOS器件采用小型6mm x 6mm高性能clip PQFN封裝，具有較高的系統(tǒng)效率，在12Vin、1Vout和25A條件下重負(fù)載效率高于91.5%，峰值效率則超過94%。Generation II XS DrMOS器件可在2MHz開關(guān)頻率下運(yùn)作，并具有最高50A的電流處理能力。

飛兆半導(dǎo)體利用其在的MOSFET、柵極驅(qū)動(dòng)器IC和封裝技術(shù)方面的技術(shù)專長，對Generation II XS DrMOS器件進(jìn)行優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)更高的效率并開發(fā)新的功能。這些技術(shù)提升使得Generation II XS DrMOS系列器件成為刀片服務(wù)器、高性能游戲主板、高性能筆記本電腦、顯卡，以及大電流DC-DC負(fù)載點(diǎn)(point-of-load)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的理想選擇。

Generation II XS DrMOS系列器件提供5V和3.3V三態(tài)電平以匹配Intel® 4.0 DrMOS規(guī)范，并可兼容市場上的多種PWM控制器。這些器件能夠顯著減少在控制FET和同步FET中使用PowerTrench® MOSFET屏蔽柵極技術(shù)而產(chǎn)生的振鈴噪聲。同步FET還集成了一個(gè)肖特基二極管，免除外部緩沖器電路，提高總體性能和功率密度，同時(shí)減少占用空間和成本。Generation II XS DrMOS器件還可以為客戶加入一項(xiàng)過熱報(bào)警功能，可在故障期間防止出現(xiàn)過熱狀況。

Generation II XS DrMOS產(chǎn)品系列能夠滿足不同客戶和應(yīng)用需求。

飛兆半導(dǎo)體Generation II XS DrMOS系列器件提供業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)，以應(yīng)對現(xiàn)今電子設(shè)計(jì)所遇到的能效和外形尺寸挑戰(zhàn)。這些器件是飛兆半導(dǎo)體高能效的功率模擬、功率分立和光電子解決方案的一部分，能夠在功率敏感應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最大節(jié)能。

價(jià)格(訂購1,000個(gè)):
FDMF6705的單價(jià)為2.86美元
FDMF6705V 的單價(jià)為2.92美元
FDMF6706C的單價(jià)為3.30美元
FDMC6707B 的單價(jià)為3.96美元

供貨: 現(xiàn)提供樣品

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