三菱電機在PCIM 2011展上推介最新Smart-1系列IGBT模塊

21ic訊 三菱電機最新開發(fā)的Smart-1系列IGBT模塊，首度在PCIM 2011亞洲展（展位號A78-A87）中亮相，連同其大受市場歡迎的V1系列IPM、新型PV-IPM和新型MPD系列模塊，向參觀者展示其強大的變頻工業(yè)技術(shù)，為客戶提供面積更小、損耗更低、和容量更大的功率模塊，深受業(yè)內(nèi)人士歡迎。

三菱電機的最新開發(fā)的Smart-1系列IGBT模塊，采用第6代CSTBTTM硅片技術(shù)和自動壓接裝配技術(shù)。模塊的飽和壓降低，功率損耗低，且硅片結(jié)溫可高達175°C，硅片運行溫度最高可達150 °C。

Smart-1系列IGBT模塊主要應用于工業(yè)變頻電機驅(qū)動和伺服驅(qū)動，已開發(fā)出的模塊電路拓撲有兩種，一種是整流逆變制動的CIB（Converter Inverter Brake），另一種是6合1模塊。其中，CIB模塊的電流/電壓等級有15A~35A/1200V，6合1模塊的電流/電壓等級有25A~50A/1200V。