飛兆半導(dǎo)體提供第二代XS™ DrMOS系列FDMF6708N

21ic訊 Ultrabook™設(shè)備和筆記本等應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員面臨降低電源設(shè)計(jì)中電感高度的挑戰(zhàn)，以滿足更薄的低側(cè)高終端系統(tǒng)要求。有鑒于此，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)提供第二代XS™ DrMOS系列FDMF6708N，這是經(jīng)全面優(yōu)化的緊湊型集成MOSFET解決方案加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案，用于大電流、高頻率同步降壓DC-DC應(yīng)用。FDMF6708N集成了一個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC、兩個(gè)功率MOSFET和一個(gè)自舉肖特基二極管，采用熱性能增強(qiáng)型6x6mm2  PQFN Intel® DrMOS v4.0標(biāo)準(zhǔn)封裝。

FDMF6708N可讓設(shè)計(jì)人員節(jié)省50%的占位面積，同時(shí)提供高開(kāi)關(guān)頻率和高功率密度。該器件的過(guò)零檢測(cè)(ZCD)功能改善了輕負(fù)載效率，延長(zhǎng)了電池壽命。與傳統(tǒng)分立解決方案不同，F(xiàn)DMF6708N使用最新的控制FET和SyncFET™ 技術(shù)以及具有更低源極電感的clip-bond封裝，在滿負(fù)載下提供高效率。而傳統(tǒng)分立解決方案需要更大的PCB空間、更長(zhǎng)的布局走線、更厚的電感，以及更多的元件，因而在使用較薄磁性元件所需的較高頻率下散熱性能不良。

FDMF6708N采用PQFN 6x6mm2 封裝，與最接近的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比，該器件在峰值負(fù)載下(15A)效率提高2.5%，在滿負(fù)載條件下(30A)效率改善6%。該器件適用于要求開(kāi)關(guān)頻率在600KHz – 1.0MHz，輸入電壓甚至達(dá)到20V的應(yīng)用?？勺屧O(shè)計(jì)人員使用更小、更薄的電感和電容，減小解決方案的尺寸，同時(shí)滿足熱性能要求。FDMF6708N器件能夠幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，設(shè)計(jì)出更酷、更薄且具有更高能效的Ultrabook™產(chǎn)品。
 
特性和優(yōu)勢(shì)

• 超過(guò)1.0MHz的開(kāi)關(guān)頻率減小了解決方案的總體尺寸，節(jié)省了50%的線路板空間，并且通過(guò)降低電感高度，實(shí)現(xiàn)更薄的系統(tǒng)。
• 過(guò)零檢測(cè)(ZCD)電路改善了輕負(fù)載性能
• PQFN 6x6mm2 Intel® DrMOS v4.0標(biāo)準(zhǔn)占位面積、多源極解決方案多芯片模塊(MCM)
• 與最接近的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比，該器件在峰值負(fù)載下(15A) 效率提高2.5%，在滿負(fù)載條件下(30A)效率改善6%。(19Vin, 1Vout, 800KHz)，實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的電池壽命。

飛兆半導(dǎo)體Generation II XS DrMOS系列器件提供業(yè)界領(lǐng)先技術(shù)，以應(yīng)對(duì)現(xiàn)今電子設(shè)計(jì)所遇到的能效和外形尺寸挑戰(zhàn)。這些器件是飛兆半導(dǎo)體高能效的功率模擬、功率分立和光電子解決方案的一部分，能夠在功率敏感應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最大節(jié)能。

價(jià)格：訂購(gòu)1,000個(gè)
FDMF6708N 每個(gè)1.86美元