美高森美為NPT IGBT產(chǎn)品系列增添多款新器件

全新25A、50A和 70A IGBT器件設(shè)計(jì)用于大功率、高性能的工業(yè)應(yīng)用

21ic訊 美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A額定電流型款。

美高森美的NPT IGBT產(chǎn)品系列設(shè)計(jì)用于需要大功率和高性能廣大范圍的工業(yè)應(yīng)用，最新的器件非常適合電焊機(jī)、太陽(yáng)能逆變器，以及不間斷電源和開(kāi)關(guān)電源。1200V產(chǎn)品系列中的所有器件均以美高森美的先進(jìn)Power MOS 8™技術(shù)為基礎(chǔ)，與競(jìng)爭(zhēng)解決方案相比，總體開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。

美高森美新的NPT IGBT解決方案與該產(chǎn)品系列中的所有器件相一致，可以與美高森美的FRED或碳化硅肖特基二極管組合封裝，為工程師提供高集成度解決方案，以便簡(jiǎn)化產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工作。其它特性包括：

· 與同類器件相比，柵極電荷顯著減少，具有更快的開(kāi)關(guān)性能;

· 硬開(kāi)關(guān)運(yùn)作頻率超過(guò)80KHz，實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換;

· 易于并聯(lián)(Vcesat的正溫度系數(shù))，提升大功率應(yīng)用的可靠性

· 額定短路耐受時(shí)間(Short Circuit Withstand Time Rated, SCWT)，在需要短路能力的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠運(yùn)作

除了器件優(yōu)勢(shì)之外，美高森美為NPT IGBT器件提供貼片 D3封裝，可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和更低的制造成本。

封裝和供貨

美高森美的1200V NPT IGBT產(chǎn)品系列現(xiàn)在包括20多款器件，額定電流有25A、40A、50A、70A和85A，IGBT產(chǎn)品采用D3、TO-247、T-MAX、TO-264和SOT-227封裝供貨。

新器件現(xiàn)在正在生產(chǎn)，要了解更多的信息，或獲取產(chǎn)品樣品，請(qǐng)發(fā)送電郵至sales.support@microsemi.com，或者聯(lián)絡(luò)當(dāng)?shù)胤咒N商和美高森美銷售代表。