意法半導(dǎo)體將兩項新的封裝技術(shù)應(yīng)用到三個先進的高壓功率MOSFET系列產(chǎn)品

21ic訊 意法半導(dǎo)體將兩項新的封裝技術(shù)應(yīng)用到三個先進的高壓功率MOSFET系列產(chǎn)品，讓充電器、太陽能微逆變器和計算機電源等注重節(jié)能的設(shè)備變得更緊湊、更穩(wěn)健、更可靠。

封裝技術(shù)開發(fā)更小、更耐用的650V和800V MOSFET" />

意法半導(dǎo)體先進的 PowerFLAT™ 5x6 HV和PowerFLAT 5x6 VHV封裝具有高達(dá)650V和800V電壓運行所要求的隔離通道長度和間隙，而封裝面積與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的100V PowerFLAT 5x6封裝的5mm x 6mm相同，比主流的DPAK封裝縮小 52%。此外，這兩個先進封裝僅1mm厚，配備一個裸露的大面積的金屬漏極焊盤，通過印刷電路板上的散熱通孔最大限度地排熱。

這些功能同時提高了管子的高壓輸出能力、穩(wěn)健性、可靠性和系統(tǒng)功率密度。

意法半導(dǎo)體目前正在推出三款采用PowerFLAT 5x6 HV封裝的650V MDmesh™ V MOSFET產(chǎn)品，還推出四款額定電壓極高的采用 PowerFLAT 5x6 VHV 800V封裝的SuperMESH 5 MOSFET。

此外，意法半導(dǎo)體已經(jīng)開始提供兩款采用PowerFLAT 5x6 HV 封裝的600 V 快速開關(guān)型低Qg 的MDmesh II Plus MOSFET測試樣片。