氮化鎵(eGaN®)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應用設定業(yè)界領先的性能基準。由于氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)超過98%的效率。
宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個新一代功率晶體管及相關(guān)的開發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應用可大大降低導通電阻(RDS(on))并可增強輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載點(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達驅(qū)動器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動化等廣闊應用。
全新氮化鎵場效應晶體管(eGaN®FET)及相關(guān)開發(fā)板
· 更低導通電阻(RDS(on))
由于全新氮化鎵場效應晶體管系列可降低一半導通電阻，因此可支持大電流、高功率密度應用。
· 進一步改善品質(zhì)因數(shù)(FOM)
與前代器件相比，由于最新一代氮化鎵場效應晶體管把硬開關(guān)FOM降低一半，因此在高頻功率轉(zhuǎn)換應用可進一步提高開關(guān)性能。
· 擴展電壓范圍
由于可受惠于采用氮化鎵場效應晶體管的應用擴展至30 V的應用，因此可支持更多應用包括更高功率的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載點轉(zhuǎn)換器以及隔離型電源供電、電腦及伺服器內(nèi)的同步整流器。
· 更優(yōu)越的熱性能
由于全新第四代氮化鎵場效應晶體管產(chǎn)品系列在溫度方面具增強了的性能并配備更優(yōu)越的晶片版圖，因此改善了其熱性能及電學性能，使得氮化鎵器件在任何條件下可在更高功率工作。
展示結(jié)果表明氮化鎵器件可實現(xiàn)更高電源轉(zhuǎn)換效率
為了展示這些全新氮化鎵場效應晶體管的更高性能，我們構(gòu)置了兩個降壓轉(zhuǎn)換器。在一個12 V轉(zhuǎn)1.2 V 的直流-直流負載點轉(zhuǎn)換器，EPC9018開發(fā)板 采用了30V的EPC2023 場效應晶體管(用作同步整流器)及40 V 的EPC2015(用作控制開關(guān))。
這個12 V轉(zhuǎn)1.2 V 、40 A的負載點轉(zhuǎn)換器工作在1 MHz的開關(guān)頻率下，與先進硅MOSFET模塊相比，采用最新一代氮化鎵功率晶體管的轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)超過91.5%的效率并展示了氮化鎵器件在電路中的優(yōu)越性能。
EPC9019開發(fā)板是一個48 V轉(zhuǎn)12 V 的轉(zhuǎn)換器并采用了80 V的 EPC2021 氮化鎵場效應晶體管 (用作同步整流器開關(guān))及100 V 的EPC2001 氮化鎵場效應晶體管(用作控制開關(guān))。這個48 V轉(zhuǎn)12 V 、40 A非隔離型直流-直流中間總線轉(zhuǎn)換器工作在300 KHz的開關(guān)頻率，與采用先進硅MOSFET器件的等效轉(zhuǎn)換器相比，采用最新一代氮化鎵功率晶體管的轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)超過98%的效率。
開發(fā)板
為了簡化對全新高性能氮化鎵場效應晶體管進行評估，我們推出開發(fā)板以支持客戶在電路中對每一種全新產(chǎn)品易于進行評估(請參看以上列表)。這些開發(fā)板在單板上已包含所有重要元件并易于與任何目前的轉(zhuǎn)換器連接。
EPC9014 、EPC9031 至EPC9034的所有開發(fā)板都是半橋配置并帶板載柵極驅(qū)動器及采用氮化鎵場效應晶體管?！∷虚_發(fā)板的尺寸為2英寸 x 1.5英寸，含兩個氮化鎵場效應晶體管、使用德州儀器公司的柵極驅(qū)動器(LM5113)、電源及旁路電容?！∶恳粔K板已配備所有重要元件及版圖，可實現(xiàn)最優(yōu)開關(guān)性能。
我們也提供EPC9018 及EPC9019開發(fā)板，使得工程師易于在電路中對氮化鎵場效應晶體管的性能進行評估。
價格及供貨
產(chǎn)品
EPC2019至EPC2024的各個功率晶體管在一千批量時的單價為3.14美元，可立即透過Digi-Key公司訂購。
開發(fā)板
各塊相關(guān)的開關(guān)板的單價為104.4美元起，可立即透過Digi-Key公司訂購。
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