Diodes MOSFET H橋節(jié)省50%占位面積

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對MOSFET H橋，DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。產(chǎn)品通過減少元件數(shù)量及縮減50%的印刷電路板占位面積，簡化電機驅(qū)動和電感無線充電電路。 40V額定值H橋DMHC4035LSD旨在滿足車用電機驅(qū)動應用的要求;30V額定值H橋DMHC3025LSD則適合12V單相風扇應用。

DMHC3025LSD及DMHC4035LSD把雙N通道和雙P通道MOSFET集成到占位面積僅為5mm x 6mm 的單一SO-8封裝，成為完整的H橋。替代尺寸相當于四個SOT23封裝或兩個SO-8封裝的器件，適用于多種受空間限制的汽車和工業(yè)應用，包括低功率直流無刷電機驅(qū)動器和風扇控制，并且滿足驅(qū)動電感負載的類似要求。

兩款H橋節(jié)省空間的優(yōu)勢與MOSFET的低導通電阻性能相輔相成，40V N通道器件在10V VGS的電壓下一般只有45mΩ的電阻;40V P通道器件的電阻在

-10V VGS 的電壓下則為65mΩ。器件的低導通電阻可把傳導損耗降到最低，從而能夠在電機堵轉(zhuǎn)的情況下承受較高的連續(xù)電流。這些30V及40V額定值的H橋在+70ºC的高溫工作環(huán)境下，可分別提供3A和2A的連續(xù)電流，以適應最壞情況下的電機堵轉(zhuǎn)電流。