宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出具有寬間距的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（eGaN FET） 小尺寸可以承載大電流

全新氮化鎵(eGaN®)功率晶體管(EPC2029)進(jìn)一步擴(kuò)大宜普電源轉(zhuǎn)換公司的功率晶體管系列 – EPC2029 氮化鎵晶體管使用高效、具有寬間距的芯片規(guī)模封裝，可易于實現(xiàn)高產(chǎn)量并與成熟的制造工藝及組裝生產(chǎn)線兼容。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出采用更寬間距連接的布局的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)-- 80 V、31 A并具有1 mm間距的焊球的EPC2029晶體管是這種全新產(chǎn)品系列的首個晶體管。更寬闊的間距可在元件的底部放置額外及較大的通孔，使得小尺寸(2.6 mm x 4.6 mm)的元件可以具備大電流承載能力。

與具有相同的電阻的先進(jìn)硅功率MOSFET器件相比，EPC2029的尺寸小很多及其開關(guān)性能高出很多倍，是高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/DC及AC/DC轉(zhuǎn)換器的同步整流應(yīng)用、馬達(dá)驅(qū)動器及D類音頻放大器等應(yīng)用的理想元件。

開發(fā)板

為了簡化對這個高效的氮化鎵場效應(yīng)晶體管EPC2029進(jìn)行評估，EPC推出EPC9046開發(fā)板，使得工程師可以容易對EPC2029“在電路中”的性能進(jìn)行評估。

EPC9046開發(fā)板采用半橋拓?fù)?，配備板載柵極驅(qū)動器及采用EPC2029氮化鎵場效應(yīng)功率晶體管。該板為2英寸乘2 英寸的開發(fā)板，使用了兩個eGaN FET、德州儀器的LM5113柵極驅(qū)動器、電源及旁路電容。該開關(guān)板包含了所有重要元件并采用具備最佳開關(guān)性能的布局，而且提供額外的電路板面積給工程師添加降壓輸出濾波器元件。此外，該板備有多個探孔以幫助工程師測量出簡單的波形及計算效率。